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龙图腾网恭喜汉民科技股份有限公司申请的专利侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112863982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911101557.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构是由林志隆;蔡兆哲;陈俊龙设计研发完成，并于2019-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构，其中制造方法包括：提供第一腔体；提供第二腔体，形成于第一腔体的下方且相连通；设置至少一个第一进气口在第一反应腔室的顶面；设置至少一个第二进气口在第一反应腔室的外围且位于第二腔体顶面；以及多个第三进气口，在第二反应腔室的侧壁上且高于晶圆片顶面的位置。借由本发明的实施，可以改善气体分流效果不佳的情况，有效的调整气体分流，达到改变晶圆表面蚀刻率分布及提升外围浓度的功效。

本发明授权侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法，其特征在于，包括：提供第一腔体，其具有第一反应腔室；提供第一线圈，其环绕设置于该第一腔体的外围；提供第二腔体，其具有第二反应腔室，该第二腔体形成于该第一腔体的下方，且该第二反应腔室与该第一反应腔室相连通；提供第二线圈，其环绕设置于该第二腔体的外围；设置至少一个第一进气口，其形成于该第一反应腔室的顶面，又该第一进气口输入第一气流，在该第一反应腔室及该第二反应腔室的等离子体反应区形成气体反应物气团，用以覆盖晶圆片；设置至少一个第二进气口，其形成于该第一反应腔室的外围且位于该第二腔体顶面的位置，又该第二进气口输入第二气流，用以通过该气体反应物气团的边缘区域；设置多个第三进气口，其形成于该第二反应腔室的侧壁上且高于该晶圆片顶面的位置，又该第三进气口输入第三气流，用以使该第二气流产生扰流，以增加该气体反应物气团的边缘的气体反应物分子浓度；以及设置至少一个出气口，其与该第二反应腔室相连通且形成于该晶圆片下方的位置。

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