恭喜三星电子株式会社柳承官获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111223829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910729880.9,技术领域涉及:H01L23/485;该发明授权半导体封装是由柳承官;崔允硕设计研发完成,并于2019-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了:一种半导体封装包括衬底封装基板、第一半导体芯片和第二半导体芯片。衬底封装基板包括设置有再分布层的再分布区域,多个竖直导电通道连接到所述再分布层,并且凹陷区域从所述再分布区域的上表面凹进。衬底封装基板还包括:转接板,在所述凹陷区域中,所述转接板包括基板、设置在所述基板的上表面处的多个上焊盘、以及分别连接到所述多个上焊盘以穿过所述基板的多个贯通电极。第一半导体芯片和第二半导体芯片安装在延伸区域和转接板上并且水平地彼此分开设置。从平面图的角度,所述转接板被设置为与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个的一部分重叠。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装,包括:衬底封装基板,包括:再分布区域,包括:多个层间绝缘层,以及设置在所述多个层间绝缘层中的第一层间绝缘层与第二层间绝缘层之间的界面处的再分布层,多个竖直导电通道,形成在所述再分布区域内并且具有连接到所述再分布层的底表面,以及第三层间绝缘层,在所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层下方;凹陷区域,从所述再分布区域的上表面凹进,并且形成在所述再分布层上方;以及转接板,在所述凹陷区域中,所述转接板包括基板、设置在所述基板的上表面处的多个上焊盘、以及分别连接到所述多个上焊盘以穿过所述基板的多个贯通电极;第一半导体芯片和第二半导体芯片,各自包括多个导电互连端子,所述多个导电互连端子分别连接到所述多个上焊盘和在所述再分布区域的所述上表面处暴露的所述竖直导电通道,所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片安装在所述再分布区域和所述转接板上并且水平地彼此分开设置;以及多个外部导电互连端子,在所述第三层间绝缘层下方,其中,从平面图的角度,所述转接板被设置为与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个的一部分重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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