恭喜长鑫存储技术有限公司张黎获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111223769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811421017.9，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构及其制备方法是由张黎设计研发完成，并于2018-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，该方法包括：于半导体衬底内形成沟槽；采用原位水汽生成工艺于沟槽的底部及侧壁上形成氧化硅层；于氧化硅层中掺杂氮原子，形成氮掺杂氧化硅层；重复执行上述氧化‑氮掺杂工艺，直至达到厚度目标要求；于氮掺杂氧化硅层的底部及侧壁围成的剩余部分的沟槽中填充栅极金属层，且栅极金属层的顶端低于半导体衬底的上表面。在形成氧化硅层的同时对氧化硅层进行氮掺杂，并经过多次氧化‑氮掺杂的反复循环，提高栅极绝缘层中的氮含量，使氮掺杂更均匀，从而在保证晶体管栅极结构性能的情况下，有效提高抗掺杂离子在栅极结构中的扩散问题，降低了栅极结构的漏电流，从而提高晶体管的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供半导体衬底，并于所述半导体衬底内形成沟槽；2）采用原位水汽生成工艺于所述沟槽的底部及侧壁上形成氧化硅层；3）于所述氧化硅层中掺杂氮原子，形成氮掺杂氧化硅层；4）重复执行步骤2）及步骤3），以获得目标厚度的氮掺杂氧化硅层；5）于所述沟槽中形成栅极金属层，所述栅极金属层的顶端低于所述半导体衬底的上表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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