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龙图腾网恭喜深圳市红旗电工科技有限公司申请的专利一种无谐振点低损耗的电缆连接器的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119783482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510279485.0，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种无谐振点低损耗的电缆连接器的设计方法是由陈以俊;陈以清;邹翼腾;周麒麟;甘志农;陆三虎;杨晓书设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无谐振点低损耗的电缆连接器的设计方法在说明书摘要公布了：本发明属于连接器技术领域，公开了一种无谐振点低损耗的电缆连接器的设计方法，包括基于阻抗连续性原理，设计内导体表面的螺旋渐变槽结构，建立连接器的复合渐变阻抗理论模型，构建双绝缘层的介电常数梯度分布模型，设定内层和外层之间的过渡函数；通过电磁‑热耦合有限元仿真，求解连接器的S参数与电场分布，优化螺旋角θ与梯度指数n，建立导体表面粗糙度与高频损耗的量化模型，通过量化模型计算确定表面粗糙度的阈值范围；基于多目标遗传算法对结构参数进行全局优化，输出理论设计参数集及性能验证的报告合集，消除了传统连接器的谐振点问题，还在全频段内提供了低损耗的优异性能，特别适用于高频高功率传输环境。

本发明授权一种无谐振点低损耗的电缆连接器的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种无谐振点低损耗的电缆连接器的设计方法，其特征在于，包括：S1，设计电缆连接器的内导体表面的螺旋渐变槽结构，建立连接器的复合渐变阻抗理论模型，定义内导体螺旋渐变槽的几何参数与等效阻抗Z（x）的映射关系；所述几何参数包括槽深h、螺旋角θ和螺旋周期Λ；S2，构建双绝缘层的介电常数梯度分布模型，设定内层和外层之间的过渡函数；其中，内层半径为R1，外层半径为R2；S3，通过电磁-热耦合有限元仿真，求解连接器的S参数与电场分布，优化螺旋角θ与梯度指数n，使电压驻波比VSWR低于第一预设值，插入损耗IL不超过第二预设值；所述S参数为电磁损耗；S4，建立导体表面粗糙度与高频损耗的量化模型，通过量化模型计算确定表面粗糙度的阈值范围；S5，基于多目标遗传算法对结构参数（h，θ，Λ，n，R1，R2）进行全局优化，目标函数为min（w1⋅VSWR+w2⋅IL+w3⋅|Zin-50|），权重系数w1=0.5，w2=0.3，w3=0.2；S6，输出理论设计参数集及性能验证的报告合集，所述报告合集包括阻抗分布曲线、电场均匀性分析结果及全频段散射参数矩阵。

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