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龙图腾网恭喜湖南融创微电子股份有限公司申请的专利抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119740412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510262432.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质是由房盼攀;刘祥远;孙自强设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质在说明书摘要公布了：为解决现有技术中抗辐照芯片设计面积消耗大、周期长、成本高以及抗辐照性能不高的问题，本发明提出抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：找到TapCell和标准单元之间最大距离；通过建立含有TapCell的器件级SEL仿真模型，找到抗SEL的TapCell插入距离；通过建立单元级SET仿真模型，找到同时抗SEL和抗SET的TapCell插入间距，作为依据在版图中进行TapCell和标准单元的重新布局，完成芯片版图设计。该设计方法利用TapCell插入间距对SEL和SET敏感性造成差异的性质，提升设计芯片抗辐照性能的同时，兼顾了设计的成本和周期。

本发明授权抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照芯片设计方法，其特征在于，包括：步骤S110：依据工艺厂商提供的工艺设计文件，确定芯片后端设计时TapCell版图插入规则，并根据所述TapCell版图插入规则获取TapCell和标准单元之间的最大距离值；步骤S120：通过搭建含有TapCell的器件级SEL仿真模型，并利用所述最大距离值，找到满足抗SEL需求的TapCell插入距离；步骤S130：通过搭建含有TapCell的单元级SET仿真模型，并利用所述TapCell插入距离，获取同时满足抗SEL和抗SET需求的TapCell插入间距；步骤S140：依照所述TapCell插入间距在芯片版图中进行TapCell交错布局，并使用EDA工具完成芯片版图中其他标准单元的布局布线，形成整体芯片的版图设计。

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