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龙图腾网恭喜微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种具有ITO缓冲层的Micro LED台面及其刻蚀均匀性制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510252411.8，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种具有ITO缓冲层的Micro LED台面及其刻蚀均匀性制备方法是由余鹿鸣;王月;张宇;黄振;王程功;郑鹏远设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有ITO缓冲层的Micro LED台面及其刻蚀均匀性制备方法在说明书摘要公布了：一种具有ITO缓冲层的MicroLED台面及其刻蚀均匀性制备方法，属于半导体器件及其加工工艺技术领域。本发明对原有工艺流程进行改进，使用ITO层作为ICP刻蚀缓冲层，在MicroLED台面刻蚀时速率按照晶圆中较快刻蚀速率的部分进行刻蚀，并进一步过刻以确保外延层刻透。本发明使用ITO作为缓冲层保护下层结构，再使用湿法腐蚀或物理刻蚀的手段去除多余缓冲层，以消除刻蚀不均匀产生的影响。进一步的，由于ITO缓冲层导电性良好，因此可以改善芯片的电流扩展效果、提升芯片亮度；以解决目前在MicroLED台面刻蚀工艺中，对晶圆整体而言刻蚀速率不均匀的问题，实现MicroLED芯片的良率优化。

本发明授权一种具有ITO缓冲层的Micro LED台面及其刻蚀均匀性制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有ITO缓冲层的MicroLED台面，其特征在于：从下至上，由衬底、键合金属层、下ITO缓冲层、剥离GaAs衬底的外延层和上ITO缓冲层组成，其中，键合金属层由下键合金属层和上键合金属层两部分组成，下键合金属层由200~400nm厚的Cr、200~400nm厚的Pt和100~300nm厚的Au组成，上键合金属层由100~300nm厚的Au、200~400nm厚的Pt和200~400nm厚的Cr组成；剥离GaAs衬底的外延层由200~400nm厚的P型AlInP层、80~120nm厚的AlGaInP有源区和200~400nm厚的N型AlInP层组成；下ITO缓冲层的厚度为100~200nm，上ITO缓冲层的厚度为100~200nm；具有ITO缓冲层的Micro-LED台面的上底直径为2~3μm，下底直径为3~5μm，台面中心的间距为3.5~4.5μm。

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