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龙图腾网恭喜珠海市沃德科技有限公司申请的专利一种陶瓷基双面印制电路板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119697884B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510203039.1，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权一种陶瓷基双面印制电路板及其制作方法是由彭树荣;刘鹏飞;吴执东设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种陶瓷基双面印制电路板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种陶瓷基双面印制电路板及其制作方法，方法包括根据陶瓷坯体的三维结构划分重点监控区与常规监控区，分阶段升温采集温度分布参数、气体成分参数与光学特性参数，对高风险区域进行局部光谱与微区气氛分析，以确定二次相的形成时间、温度区间及反应强度，继而通过气氛与温度调控抑制二次相。本发明技术方案能够在烧结及金属化过程中对陶瓷基双面印制电路板进行区域化监控，利用实时数据判断并遏制二次相的扩散或聚集，显著降低界面缺陷与微裂纹风险，提高成品良率，适用于高功率、高散热与高可靠性领域，从而满足高功率器件散热与可靠性需求。

本发明授权一种陶瓷基双面印制电路板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷基双面印制电路板的制作方法，其特征在于，包括：根据陶瓷坯体的预设三维结构特征划分得到重点监控区和常规监控区，并在分阶段升温过程中采集所述重点监控区和常规监控区的初始温度分布参数、初始气体成分参数及初始光学特性参数；具体包括：根据陶瓷坯体的预设通孔分布位置、预设金属化层分布区域和预设芯片封装区域划分监控区域，其中，将预设芯片封装区域划分为一级重点监控区，将预设通孔分布位置划分为二级重点监控区，将预设金属化层分布区域划分为三级重点监控区，将其余区域划分为常规监控区；对所述一级重点监控区、二级重点监控区、三级重点监控区和常规监控区在400-800°C的烧结前期采集局部升温速率、有机物分解产物浓度和表面形貌特征；对所述一级重点监控区、二级重点监控区、三级重点监控区和常规监控区在1000-1400°C的主相烧结温度阶段采集温度梯度、金属氧化物挥发浓度和晶界特征；将所述局部升温速率和所述温度梯度作为初始温度分布参数，将所述有机物分解产物浓度和所述金属氧化物挥发浓度作为初始气体成分参数，将所述表面形貌特征和所述晶界特征作为初始光学特性参数；对所述初始温度分布参数、初始气体成分参数及初始光学特性参数进行分析，得到各区域的风险等级数据，所述风险等级数据包括高风险、中风险和低风险；根据所述风险等级数据，对风险等级为高风险的区域进行局部光谱分析和微区气氛分析，获得晶体结构数据、衍射数据和局部气体浓度数据，并根据所述晶体结构数据、衍射数据和局部气体浓度数据确定二次相的形成时间点、温度区间及反应强度；根据所述二次相的形成时间点、温度区间及反应强度，对所述风险等级为高风险的区域进行气氛调控和温度调控，并实时采集调控过程中的实时温度分布参数、实时气体成分参数及实时光学特性参数，当所述实时温度分布参数、实时气体成分参数及实时光学特性参数满足预设阈值时，确定所述二次相得到有效抑制。

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