恭喜全智芯(上海)技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜全智芯(上海)技术有限公司申请的专利仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119623400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510159488.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质。仿真模型的参数更新方法，包括：基于各个时间步和相应的蚀刻速率确定蚀刻后沟槽的底部的最终高度的仿真值；基于仿真值与目标值的比较确定与沟槽的蚀刻速率相关的参数的更新值，以使得对应于参数的更新值的仿真值与目标值的差变小。本公开的技术方案提供了高精度的仿真模型，能够精确仿真半导体工艺中的蚀刻过程。
本发明授权仿真模型的参数更新方法、仿真方法、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种仿真模型的参数更新方法，包括：基于各个时间步和相应的蚀刻速率确定蚀刻后沟槽的底部的最终高度的仿真值，其中所述蚀刻速率是基于初始数据以及与沟槽的蚀刻速率相关的参数的初始值确定的，其中所述初始数据指示晶圆和待蚀刻的沟槽的尺寸信息；以及基于所述仿真值与目标值的比较确定与所述沟槽的蚀刻速率相关的参数的更新值，以使得对应于所述参数的更新值的仿真值与目标值的差变小；其中所述尺寸信息至少包括以下特征尺寸信息：晶圆上格点内图形的密度；所述图形的宽度；所述图形之间的间隔；以及沟槽的底部的初始高度；其中所述参数至少包括以下之一：材料的名义蚀刻速率；所述密度的影响因子；蚀刻液浓度；宽度的影响因子；蚀刻液浓度调整因子；以及所述间隔的影响因子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人全智芯(上海)技术有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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