买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜内蒙古工业大学申请的专利一种具有Se空位的复合纳米阵列材料、电极、超级电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065605.7，技术领域涉及：H01G11/30；该发明授权一种具有Se空位的复合纳米阵列材料、电极、超级电容器及其制备方法是由徐智慧;郝月;李学磊;阿如罕;刘景顺;刘育;李青文设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有Se空位的复合纳米阵列材料、电极、超级电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于超级电容器领域，具体涉及一种具有Se空位的复合纳米阵列材料、电极、超级电容器及其制备方法。本发明通过在泡沫铜CF基底上直接制备CuO纳米棒；将CuO作为工作电极，HgHgO为参比电极，铂片为对电极，NiNO32·6H2O、CoNO32·6H2O和SeO2混合溶液作为电解液，在电化学工作站上通过循环伏安法在CuO表面沉积NiCo‑Se，合成CuO@NiCo‑Se纳米阵列；将CuO@NiCo‑Se材料浸泡在KBH4溶液中以产生Se空位，得到高性能VSe‑CuO@NiCo‑Se电极材料。本发明通过形貌和成分的协同调控，显著提高了复合材料的比容量和稳定性，储能性能和循环性能优异为超级电容器提供了一种优越的复合电极材料，且制备方法的原料来源广泛，价格低廉，制备效率高，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种具有Se空位的复合纳米阵列材料、电极、超级电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有Se空位的复合纳米阵列材料的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：1CuO纳米棒阵列的制备：首先对泡沫铜CF进行预处理，然后分别配置NaOH溶液和NH42S2O8溶液，再将NH42S2O8溶液缓慢倒入NaOH溶液中并持续搅拌，混合得混合溶液；室温下将预处理的泡沫铜CF倾斜浸泡于混合溶液中，浸泡好后将泡沫铜CF用乙醇和去离子水进行清洗并在真空干燥，随后将获得的CuOH2退火得到CuO纳米棒阵列；2CuO@NiCo-Se纳米阵列的制备：将经步骤（1）制备的CuO纳米棒阵列作为工作电极，HgHgO为参比电极，铂片为对电极，将NiNO32·6H2O、CoNO32·6H2O和SeO2的混合溶液作为电解液，在电化学工作站上通过循环伏安法在CuO表面沉积NiCo-Se，用乙醇和去离子水清洗并在真空干燥，获得CuO@NiCo-Se纳米阵列；3具有Se空位的CuO@NiCo-Se纳米阵列VSe-CuO@NiCo-Se的制备:将步骤（2）制备的CuO@NiCo-Se纳米阵列材料浸泡在KBH4溶液中以产生Se空位，用乙醇和去离子水清洗，并真空干燥，得到VSe-CuO@NiCo-Se纳米阵列，也即所述的具有Se空位的复合纳米阵列材料；步骤1中，获得的CuOH2置于马弗炉中以2-5℃min-1的升温速率在300-350℃下退火2-3h得到CuO纳米棒阵列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人内蒙古工业大学，其通讯地址为：010051 内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民路49号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。