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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031601.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由许玉威;王瑞;蔡宗佐设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成垫氧化层、中间材料层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述中间材料层、所述垫氧化层和所述衬底，形成浅沟槽，在所述浅沟槽内形成绝缘介质层，直至所述浅沟槽内的所述绝缘介质层突出于所述垫氮化层；平坦化所述绝缘介质层直至暴露所述垫氮化层；对所述中间材料层进行氧化处理，获得氧化材料层；刻蚀去除所述垫氮化层；以及平坦化所述氧化材料层和所述绝缘介质层。通过本发明提供的半导体结构的制备方法，能够避免浅沟槽隔离结构的表面出现碟形凹陷，提高浅沟槽隔离结构表面的平坦度。

本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成垫氧化层、中间材料层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述中间材料层、所述垫氧化层和所述衬底，形成浅沟槽，在所述浅沟槽内形成绝缘介质层，直至所述浅沟槽内的所述绝缘介质层突出于所述垫氮化层；平坦化所述绝缘介质层直至暴露所述垫氮化层；对所述中间材料层进行氧化处理，获得氧化材料层，所述氧化材料层的厚度小于或等于所述中间材料层的初始厚度，所述氧化材料层和所述绝缘介质层的材料和物理性质相同；刻蚀去除所述垫氮化层；平坦化所述氧化材料层和所述绝缘介质层；以及通过刻蚀去除所述氧化材料层和所述垫氧化层，或，通过离子注入形成阱区后，再刻蚀去除所述氧化材料层和所述垫氧化层；其中，所述中间材料层的氧化处理至少包括以下步骤：向所述中间材料层中注入氧等离子体；以及对所述中间材料层进行退火处理。

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