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龙图腾网恭喜浙江华辰芯光技术有限公司申请的专利一种半导体激光器芯片结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510033074.3，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种半导体激光器芯片结构及其制造方法是由侯继达;李明欣;魏明设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器芯片结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体激光器制造技术领域。具体涉及一种半导体激光器芯片结构及其制造方法。本申请提供的半导体激光器芯片结构包括：激光器基体和重掺杂台，重掺杂台设置于激光器基体的上限制层背向衬底层一侧表面，包括第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和电阻控制层；重掺杂台有电流注入区，设置有第一电流注入窗口和第二电流注入窗口；第一电流注入窗口至衬底层的电流路径不经过电阻控制层，第二电流注入窗口至衬底层的电流路径经过电阻控制层；第二电流注入窗口至少设置于电流注入区靠近后腔面一侧。本申请提供的半导体激光器芯片结构，可有效平衡前、后腔面的载流子注入，从而避免前腔面的局部失效，并可提升器件效率。

本发明授权一种半导体激光器芯片结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器芯片结构，其特征在于，所述半导体激光器芯片结构包括：激光器基体，所述激光器基体包括依次层叠设置的：衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层和上限制层；重掺杂台，设置于所述激光器基体的上限制层背向所述衬底层一侧表面，包括第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和电阻控制层；所述电阻控制层设置于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层之间；所述电阻控制层的电阻阻值分别大于所述第一欧姆接触层的电阻阻值和所述第二欧姆接触层的电阻阻值；所述重掺杂台划分有电流注入区，所述电流注入区中设置有第一电流注入窗口和第二电流注入窗口；其中，所述第一电流注入窗口至所述衬底层的电流路径不经过所述电阻控制层，所述第二电流注入窗口至所述衬底层的电流路径经过所述电阻控制层；所述半导体激光器芯片结构在所述激光器基体长度方向上具有相对的前腔面和后腔面；所述第二电流注入窗口至少设置于所述电流注入区靠近所述后腔面一侧；所述电流注入区中的部分所述第一欧姆接触层、所述电阻控制层和所述第二欧姆接触层形成若干间隔的重掺杂岛，所述重掺杂岛构成第二电流注入窗口；所述第一电流注入窗口包围所述第二电流注入窗口；沿所述半导体激光器芯片结构的所述后腔面至所述前腔面的方向上，若干所述第二电流注入窗口间隔的分布，且自所述后腔面至所述前腔面的方向上，相邻所述第二电流注入窗口的间隔逐渐增加。

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