恭喜晶存阵列(上海)科技有限公司吴铿获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶存阵列(上海)科技有限公司申请的专利闪存读取纠错方法、固态存储设备以及固件程序产品获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119356937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411854722.3,技术领域涉及:G06F11/10;该发明授权闪存读取纠错方法、固态存储设备以及固件程序产品是由吴铿设计研发完成,并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存读取纠错方法、固态存储设备以及固件程序产品在说明书摘要公布了:一种闪存读取纠错方法、固态存储设备以及固件程序产品,能够在实现数据压缩的同时实现基于重读动作的纠错。闪存读取纠错方法包括:通过ECC电路对基于缺省读取电压从闪存单元读取出的用户数据进行纠错;以及在所述用户数据的出错位的位数超过规定位数的情况下,基于预先存储的重读电压码对所述闪存单元进行重读,以使所述用户数据的出错位的位数达到所述规定位数以下,所述规定位数是所述ECC电路能够进行纠错的位数。其中,所述重读电压码由符号字段以及偏移字段构成,根据所述重读电压码的所述符号字段以及所述偏移字段形成重读电压,将所述重读电压施加至所述闪存单元以进行所述重读。
本发明授权闪存读取纠错方法、固态存储设备以及固件程序产品在权利要求书中公布了:1.一种闪存读取纠错方法,包括:通过ECC电路对基于缺省读取电压从闪存单元读取出的用户数据进行纠错;以及在所述用户数据的出错位的位数超过规定位数的情况下,基于预先存储的重读电压码对所述闪存单元进行重读,以使所述用户数据的出错位的位数达到所述规定位数以下,所述规定位数是所述ECC电路能够进行纠错的位数,其特征在于,所述重读电压码由符号字段以及偏移字段构成,所述偏移字段包括个数与所述缺省读取电压的个数相同的偏移子字段,所述符号字段包括与各所述偏移子字段对应的比特位,所述符号字段中与各所述偏移子字段对应的比特位的值表示与该偏移子字段对应的缺省读取电压的偏移方向,根据所述重读电压码的所述符号字段以及所述偏移字段形成重读电压,将所述重读电压施加至所述闪存单元以进行所述重读。
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