恭喜西安交通大学张鹏飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411108620.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法是由张鹏飞;张少鹏;王若铮;王玮;王宏兴设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向氧化镓高压型肖特基二极管包括氧化镓基底；所述氧化镓基底上开设有至少两个梯形通孔，所述梯形通孔的上底位于氧化镓基底正面，梯形通孔的下底位于氧化镓基底背面；氧化镓基底背面沉积有氮化硅介质层；氧化镓基底正面沉积有Ti金属层、第一化学惰性金属层、Ni金属层和第二化学惰性金属层；所述Ni金属层和第二化学惰性金属层位于两个梯形通孔之间的氧化镓基底表面上；所述Ti金属层和第一化学惰性金属层位于两个梯形通孔外侧的氧化镓基底表面上。本发明制备的二极管结构具有良好的电学特性，相比于现有技术的氧化镓肖特基二极管的耐压性更好。
本发明授权一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种横向氧化镓高压型肖特基二极管，其特征在于，包括氧化镓基底；所述氧化镓基底上开设有至少两个梯形通孔，所述梯形通孔的上底位于氧化镓基底正面，梯形通孔的下底位于氧化镓基底背面；氧化镓基底背面沉积有氮化硅介质层；氧化镓基底正面沉积有Ti金属层、第一化学惰性金属层、Ni金属层和第二化学惰性金属层；所述Ni金属层位于两个梯形通孔之间的氧化镓基底表面上，第二化学惰性金属层位于Ni金属层的上面；所述Ti金属层位于两个梯形通孔外侧的氧化镓基底表面上，第一化学惰性金属层位于Ti金属层的上面。
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