成都忆芯科技有限公司王睿欢获国家专利权
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龙图腾网获悉成都忆芯科技有限公司申请的专利用于芯片封装基板的高速信号线布线结构及封装基板获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222883541U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421310343.3,技术领域涉及:H01L23/498;该实用新型用于芯片封装基板的高速信号线布线结构及封装基板是由王睿欢;陈绕所;张扬;王玉巧;李正审设计研发完成,并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于芯片封装基板的高速信号线布线结构及封装基板在说明书摘要公布了:本申请提供一种用于芯片封装基板的高速信号线布线结构及封装基板,该布线结构包括:位于封装基板内的第一层结构,第一层结构为金属层且包括位于焊球上方的挖空区域,第一层结构的金属层在挖空区域内的部分被去除;位于第一层结构与第二层结构之间的第一过孔和位于第一层结构与第三层结构之间的第二过孔,第二层结构位于第一层结构上方,第三层结构位于第一层结构下方,焊球设置于第三层结构;两个过孔与第一层结构相交的部分位于挖空区域内;以及位于两个过孔之间的连接结构,位于第二层结构的高速信号线通过第一过孔、连接结构和第二过孔连接至焊球。本申请可改进高速信号线与焊球之间的走线方式,对高速信号线出现的阻抗跌落进行补偿。
本实用新型用于芯片封装基板的高速信号线布线结构及封装基板在权利要求书中公布了:1.一种用于芯片封装基板的高速信号线布线结构,其特征在于,包括:位于封装基板内的第一层结构,所述第一层结构为金属层,所述第一层结构包括位于焊球上方的挖空区域,所述第一层结构的金属层在所述挖空区域内的部分被去除;第一过孔和第二过孔,所述第一过孔位于所述第一层结构与第二层结构之间,所述第二过孔位于所述第一层结构与第三层结构之间,所述第二层结构位于所述第一层结构上方,所述第三层结构位于所述第一层结构下方,所述焊球设置于所述第三层结构;所述第一过孔与所述第二过孔与所述第一层结构相交的部分位于所述挖空区域内,使得所述第一过孔与所述第二过孔与所述第一层结构的金属层不接触;位于所述第一过孔与所述第二过孔之间的连接结构;以及位于所述第二层结构的高速信号线通过所述第一过孔、所述连接结构和所述第二过孔连接至所述焊球。
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