恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请的专利一种发光二极管的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404705.4，技术领域涉及：H10H20/824；该发明授权一种发光二极管的外延结构及其制备方法是由郑锦坚;王曼;常亮;高默然;毕京锋设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；以及在衬底上依次堆叠的第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱层以及第二半导体层，第一阻挡层和第二半导体层的掺杂类型彼此相反，其中，第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱以及第二半导体层分别进行碳掺杂，并且多量子阱层的碳掺杂浓度≤第一阻挡层的碳掺杂浓度≤第一半导体层的碳掺杂浓度≤第二阻挡层的碳掺杂浓度≤第二半导体层的碳掺杂浓度。本发明的发光二极管的外延结构及其制备方法，通过设置外延结构中各层的碳掺杂浓度的变化，降低电子注入多量子阱的速率，降低电子从多量子阱溢出几率，从而提升发光二极管的发光效率。
本发明授权一种发光二极管的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括：衬底；以及在所述衬底上依次堆叠的第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第一阻挡层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反，其中，所述第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱以及第二半导体层分别进行碳掺杂，并且所述多量子阱层的碳掺杂浓度≤所述第一阻挡层的碳掺杂浓度≤第一半导体层的碳掺杂浓度≤所述第二阻挡层的碳掺杂浓度≤所述第二半导体层的碳掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司，其通讯地址为：361026 福建省厦门市海沧区兰英路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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