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龙图腾网恭喜深圳市嘉合劲威电子科技有限公司申请的专利一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111450076.0，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备是由陈晖;张丽丽;朱星宇;明振东设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种双晶内存条上下位的修补方法和装置，包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC双晶封装的PCB板的布局。通过上述方法可对不良品的DDP类型封装的内存进行修补，利用出厂的内存IC存在不良产品，通过修补使其变为合格产品，有效的利用了不良产品，节省资源，同时也在一定程度上有利于环境的保护。

本发明授权一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种双晶内存条上下位的修补方法，其特征在于，应用于×16双晶封装的不良IC的重组封装，所述方法包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；其中，所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组；所述不良区域类型为地址线位区域；其中，所述A组区域为0-3位，B组区域为4-7位，C组区域为8-11位，D组区域为12-15位，E组区域为8-15位；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC双晶封装的PCB板的布局。

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