恭喜意法半导体(鲁塞)公司P·弗纳拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111216585.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用是由P·弗纳拉设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用。一种集成电路包括第一衬底。MOS晶体管具有第一多晶硅区，该第一多晶硅区与第一衬底电隔离并且包括栅极区。第二多晶硅区与第一多晶硅区和第一衬底电隔离。第二多晶硅区包括MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区。第一多晶硅区位于第一衬底的区域与第二多晶硅区之间。
本发明授权MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用在权利要求书中公布了：1.一种检测系统，包括：封闭容器；集成电路，具有第一衬底、以及第一端子和第二端子；导电导线，将所述第一端子和所述第二端子连接，并且具有可切断部分，所述可切断部分被布置为在打开或尝试打开所述封闭容器的情况下被切断，以及检测设备，被配置为检测所述可切断部分的切断；其中所述检测设备包括在所述集成电路内的以下项：第一电容器，与所述集成电路的所述第一衬底电隔离并且被连接到所述第一端子；第一MOS晶体管，具有与所述第一衬底电隔离的源极区和漏极区、以及被连接到所述第二端子的栅极区，其中所述第一MOS晶体管被配置为响应于零电压被施加到所述栅极区而处于导通状态，并且响应于非零电压被施加到所述栅极区而处于断开状态；第二电容器，与所述集成电路的所述第一衬底电隔离，并且具有第一电极，所述第一电极被连接到所述第一MOS晶体管的所述漏极区；以及测量电路，被配置为测量所述第一电极处的电压，其中如果所述电压低于阈值，则所述第一电极的所述电压指示所述可切断部分的目前或过去的切断。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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