恭喜德克萨斯仪器股份有限公司贾骄获国家专利权
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龙图腾网恭喜德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利翘曲减少的沟槽电容获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111630655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980009702.7，技术领域涉及：H10D1/60；该发明授权翘曲减少的沟槽电容是由贾骄;Z·冯;H·林;刘运龙;M·贾因设计研发完成，并于2019-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本翘曲减少的沟槽电容在说明书摘要公布了：沟槽电容150包括基底102的掺杂半导体表层104中的沟槽。至少一个介电层110给沟槽的表面加衬。掺杂的第二多晶硅层114位于填充沟槽的介电层110上的第一多晶硅层112上。与第一多晶硅层112相比，第二多晶硅层114具有更高的掺杂水平。
本发明授权翘曲减少的沟槽电容在权利要求书中公布了：1.一种形成沟槽电容的方法，所述方法包括：在基底的掺杂半导体表面层中形成多个沟槽；形成给所述多个沟槽的表面加衬的介电层；在所述介电层上沉积未掺杂的第一多晶硅层；在未掺杂的所述第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层以填充所述多个沟槽；掺杂所述第二多晶硅层；使用掩蔽层图案，进行顶面多晶硅蚀刻，以在横向于所述多个沟槽的区域中回刻所述第一多晶硅层，并且留下所述第一多晶硅层的剩余部分，所述剩余部分将所述多个沟槽中的第一沟槽内的所述第二多晶硅层的第一部分电连接到所述多个沟槽中的第二沟槽内的所述第二多晶硅层的第二部分；以及还包括在沉积所述第二多晶硅层之后，从所述基底的背面去除所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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