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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利工艺角检测方法及系统、设备、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113327643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010129523.1，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权工艺角检测方法及系统、设备、存储介质是由方佳斌;王颖倩;张欢设计研发完成，并于2020-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本工艺角检测方法及系统、设备、存储介质在说明书摘要公布了：一种工艺角检测方法及系统、设备、存储介质，工艺角检测方法用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，包括：获取多个SRAM单元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；利用多个第一数据组建立三维正态分布模型，三维正态分布模型的形状为椭球体；从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；对多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；提取多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为最差工艺角。本发明提高工艺角检测的精准度。

本发明授权工艺角检测方法及系统、设备、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种工艺角检测方法，用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，所述SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，其特征在于，包括：获取多个所述SRAM单元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；利用多组所述第一数据组建立三维正态分布模型，所述三维正态分布模型的形状为椭球体，利用多个所述第一数据组建立三维正态分布模型的步骤包括：对所述多个SRAM单元器件，分别计算所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据的平均值和标准差；对每一个所述SRAM单元器件，利用所述电性数据的平均值和标准差，分别计算所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据的偏移程度值，所述偏移程度值为所述电性数据相对于平均值的偏移量与所述标准差的比值；利用所述偏移程度值，建立所述三维正态分布模型；从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；对所述多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；提取所述多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为所述写噪声容限的最差工艺角。

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