台湾积体电路制造股份有限公司吴伟豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222897484U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421709829.4，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型半导体元件是由吴伟豪;陈冠宇设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件在说明书摘要公布了：一种半导体元件包含：栅极堆叠，处于基材上方；金属介电衬垫，处于栅极堆叠上方；栅极遮罩，处于金属介电衬垫上方；第一氧化物层，处于基材上方，第一氧化物层的顶表面与栅极遮罩的顶表面齐平；介电层，处于栅极遮罩及第一氧化物层上方，介电层为与栅极遮罩不同的材料；第二氧化物层，处于介电层上方；第一导电特征，延伸穿过第一氧化物层，第一导电特征的顶表面与栅极遮罩的顶表面齐平；及第二导电特征，延伸穿过第二氧化物层及介电层，第二导电特征与第一导电特征接触。
本实用新型半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一栅极堆叠，处于一基材上方；一金属介电衬垫，处于该栅极堆叠上方；一栅极遮罩，处于该金属介电衬垫上方；一第一氧化物层，处于该基材上方，该第一氧化物层的一顶表面与该栅极遮罩的一顶表面齐平；一介电层，处于该栅极遮罩及该第一氧化物层上方，该介电层为与该栅极遮罩不同的一材料；一第二氧化物层，处于该介电层上方；一第一导电特征，延伸穿过该第一氧化物层，该第一导电特征的一顶表面与该栅极遮罩的该顶表面齐平；及一第二导电特征，延伸穿过该第二氧化物层及该介电层，该第二导电特征与该第一导电特征接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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