台湾积体电路制造股份有限公司梁正庸获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222896688U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421461826.3，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型半导体结构是由梁正庸;叶韦廷;黄一涵;吴振豪;李安璿;赵皇麟;彭羽筠;林耕竹设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括集成电路芯片，其具有装置区与周边区。第一集成电路芯片包括基板；装置层，位于基板上；内连线结构，位于装置层上；氮化物层，位于周边区中的内连线结构的第一部分上；以及氧化物层，位于装置区中的内连线结构的第二部分上。氧化物层的上表面与氮化物层的上表面实质上共平面。半导体结构还包括第二集成电路芯片位于氧化物层上。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一集成电路芯片，包括一装置区与一周边区，其中该第一集成电路芯片包括：一基板；一装置层，位于该基板上；一内连线结构，位于该装置层上；一氮化物层，位于该周边区中的该内连线结构的第一部分上；以及一氧化物层，位于该装置区中的该内连线结构的第二部分上，其中该氧化物层的上表面与该氮化物层的上表面共平面；以及一第二集成电路芯片，位于该氧化物层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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