台湾积体电路制造股份有限公司黎耀轩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222897482U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421461757.6，技术领域涉及：H10D62/13；该实用新型半导体结构是由黎耀轩;周鸿儒;张志仲;李威养;吕侑珊;谢玉玲设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括第一外延源极漏极部件，在基板的第一突出部分上；第二外延源极漏极部件，在基板的第二突出部分上；第三外延源极漏极部件，在基板的第三突出部分上；第四外延源极漏极部件，在基板的第四突出部分上；以及隔离结构，在基板上。隔离结构具有基部以及侧壁部分，基部在基板的顶表面上，侧壁部分在基板的第一、第二、第三和第四突出部分的侧壁上。第一外延源极漏极部件和第二外延源极漏极部件未合并。第三外延源极漏极部件和第四外延源极漏极部件通过突破隔离结构的侧壁部分而合并。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一外延源极漏极部件，在一基板的一第一突出部分上；一第二外延源极漏极部件，在该基板的一第二突出部分上；一第三外延源极漏极部件，在该基板的一第三突出部分上；一第四外延源极漏极部件，在该基板的一第四突出部分上；以及一隔离结构，在该基板上，该隔离结构具有一基部以及多个侧壁部分，该基部在该基板的一顶表面上，多个所述侧壁部分在该基板的该第一、第二、第三和第四突出部分的侧壁上，其中该第一外延源极漏极部件和该第二外延源极漏极部件未合并，其中该第三外延源极漏极部件和该第四外延源极漏极部件通过突破该隔离结构的多个所述侧壁部分而合并。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号