恭喜深圳大学刘新科获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利立体高集成MOS晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410193571.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权立体高集成MOS晶体管及其制备方法是由刘新科;林锦沛;黄烨莹;蒋忠伟;黎晓华设计研发完成，并于2024-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本立体高集成MOS晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了立体高集成MOS晶体管及其制备方法，其中，MOS晶体管包括：立体衬底、间隔设置于立体衬底的外表面的若干器件、覆盖于器件表面和立体衬底表面的互联介质层；器件为PMOS管或NMOS管；互联介质层至少内部固定有若干互联金属，各器件的漏极之间、各器件的源极之间以及各器件的栅极之间通过各互联金属意义对应连接。本发明中的MOS晶体管，通过改进衬底的结构，有效解决了MOS晶体管的散热问题，增大了MOS晶体管的集成度，充分提高了MOS晶体管的功率密度和电流密度，使大功率的MOS晶体管能够应用于更广泛的场景。
本发明授权立体高集成MOS晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.立体高集成MOS晶体管，其特征在于，包括：立体衬底、间隔设置于所述立体衬底的外表面的若干器件、覆盖于所述器件表面和所述立体衬底表面的互联介质层；所述器件为PMOS管或NMOS管；所述互联介质层至少内部固定有若干互联金属，各所述器件的漏极之间、各所述器件的源极之间以及各所述器件的栅极之间通过各所述互联金属一一对应连接；其中，所述互联介质层为多层，并且各所述器件的漏极之间的互联金属、各所述器件的源极之间的互联金属及各所述器件的栅极之间的互联金属互不接触和交叉；所述立体衬底呈球体状，所述球体直径为50~60μm；或，所述立体衬底呈多面体状，所述多面体对应的外接球直径为50~60μm；或，所述立体衬底呈圆柱体状，所述圆柱体的直径为50~60μm，高度为50~60μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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