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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种具有NP堆叠漂移区的IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210479793.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有NP堆叠漂移区的IGBT是由陈万军;夏云;程峥;孙瑞泽;刘超;郑崇芝;张波设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有NP堆叠漂移区的IGBT在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NP堆叠漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区4和P型漂移区5通过上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区，从而NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来Shockley二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。

本发明授权一种具有NP堆叠漂移区的IGBT在权利要求书中公布了：1.一种具有NP堆叠漂移区的IGBT，其半元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于集电极结构之上，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上：所述集电极结构包括集电极金属1、P+集电极区2和N型场截止层3；所述集电极金属1的下表面引出端为器件的集电极C；所述P+集电极区2位于集电极金属1的上表面；所述N型场截止层3位于P+集电极区2的上表面；所述发射极结构包括N型载流子存储层6、P型阱区7、N型发射极区9、P型体接触区8以及发射极金属10；所述N型载流子存储层6位于耐压层结构上表面；所述P型阱区7位于N型载流子存储层6上表面；所述N型发射极区9和P型体接触区8位于P型阱区7上表面；所述发射极金属10的下表面同时与N型发射极区9和P型体接触区8的上表面接触，发射极金属10上表面的引出端为器件的发射极E；所述栅极结构为沟槽栅结构，包括绝缘介质12和导电材料11；所述导电材料11位于绝缘介质12内，其引出端为器件的栅极G；所述绝缘介质12从器件表面垂直穿过P型阱区7与N型载流子存储层6，其侧面与N型载流子存储层6、P型阱区7、N型发射极区9接触；其特征在于，所述耐压层包括N型漂移区4和P型漂移区5，两者呈现上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区；所述N型漂移区4的下表面与N型场截止层3的上表面接触，N型漂移区4的上表面与P型漂移区5的下表面接触；所述P型漂移区5的上表面同时与绝缘介质12的下表面和侧面以及N型载流子存储层6的下表面接触。

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