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龙图腾网恭喜吴静雯申请的专利高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242699B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111507113.7，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法是由吴静雯设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法，所述堆叠封装结构包括上双面覆铜板、下双面覆铜板、第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹、引脚和塑封体，第一芯片的集电极焊接在上双面覆铜板的内表面，第二芯片的集电极焊接在下双面覆铜板的内表面，第一铜夹的一端焊接在下双面覆铜板的内表面上，第一芯片的发射极焊接在第一铜夹的上表面上，第二芯片的发射极焊接在第一铜夹的下表面上。本申请基于现有产品结构进行创新优化，开发一种全新芯片对称结构，实现垂直对称性快速散热，具有性能更稳定、功率密度更大、散热性更好、可靠性更高、功耗更小的优点，产品体积更小、物料使用更少、成本更低，组装流程更加简单高效。

本发明授权高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率密度超散热性芯片对称堆叠封装结构，其特征在于，包括上双面覆铜板、下双面覆铜板、第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹、引脚和塑封体，所述第一芯片的集电极焊接在上双面覆铜板的内表面，所述第二芯片的集电极焊接在下双面覆铜板的内表面，所述第一铜夹的一端焊接在下双面覆铜板的内表面上，所述第一芯片的发射极焊接在第一铜夹的上表面上，所述第二芯片的发射极焊接在第一铜夹的下表面上；所述第二铜夹的一端焊接在下双面覆铜板的内表面上，所述第一芯片的栅极焊接在第二铜夹的上表面上，所述第二芯片的栅极焊接在第二铜夹的下表面上，所述引脚焊接在下双面覆铜板的内表面上，并通过下双面覆铜板上的电路与第一芯片、第二芯片的集电极、发射极和栅极电连接，所述塑封体用于包裹第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹和引脚的内侧部分；所述第一芯片和第二芯片为同一种芯片，且第一芯片和第二芯片上下完全对称堆叠布置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吴静雯，其通讯地址为：513042 广东省清远市英德市望埠镇桥新村委会寺前吴屋组；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。