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龙图腾网恭喜苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种低损耗理想二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113285616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110673469.1，技术领域涉及：H02M7/217；该发明授权一种低损耗理想二极管是由涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗理想二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低损耗理想二极管,所述二极管包括控制IC、电荷泵电容C1、增强型MOSFET，整个整流系统器件极少，非常利于缩小整体应用方案的体积，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，为整流器的阴极和输出，该低损耗理想二极管外围简洁、功耗可控的低损耗二极管,降低整流器功耗，简化布板，缩小整体方案体积，符合高能效、高功率密度的发展趋势，在应用上无需散热装置。

本发明授权一种低损耗理想二极管在权利要求书中公布了：1.一种低损耗理想二极管,其特征在于,所述二极管包括控制IC、电容C1、增强型MOSFET，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，作为整流器的阴极和输出，所述控制IC内部包括比较器CMP1、比较器CMP2、运放AMP、电平转换模块、LDOBIASUVLO模块、ChargePump模块，NMOS管N1以及PMOS管P1，ChargePump模块的CPO引脚连接电容C1，在CPO引脚与阳极电压VIN之间存在一稳压管DZ，比较器CMP1、比较器CMP2及运放AMP的两输入端分别接阳极电压VIN和阴极电压VOUT，比较器CMP1和比较器CMP2的输出端连接电平转换模块，电平转换模块连接NMOS管N1和PMOS管P1，所述电平转换模块用于将两个比较器输出的高低电平VCC和GND转换成高低电平CPO和VIN，NMOS管N1和PMOS管P1为IC的驱动管，PMOS管P1的源端接CPO电压，NMOS管N1的源端接VIN电压，所述阴极电压VOUT与阳极电压VIN的差值等于25mV，经比较器CMP1，当整流器的阴极电压VOUT低于阳极电压VIN-75mV的值，则控制上拉PMOS管P1对Gate管脚快速上拉，经比较器CMP2，当整流器的阴极电压VOUT-25mV的值高于阳极电压VIN，则控制下拉NMOS管N1对Gate管脚快速下拉。

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