恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈佳政获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利互连层及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011221811.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权互连层及其制造方法是由陈佳政;张惠政;黄富明;陈科维;陈亮吟;张棠贵;杨育佳;梁威威;崔骥设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连层及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及互连层及其制造方法。本公开描述了一种用于在导电结构中平坦化钌金属层的方法。该方法包括在第二导电结构上形成第一导电结构，其中，形成第一导电结构包括在设置在第二导电结构上的电介质层中形成开口，以及在开口中沉积钌金属以过度填充开口。形成第一导电结构包括掺杂钌金属以及抛光经掺杂的钌金属以形成第一导电结构。
本发明授权互连层及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造互连层的方法，包括：在衬底上形成第一互连层，其中，形成所述第一互连层包括：在设置在所述衬底上的电介质层中形成开口；在所述开口中沉积钌金属衬里；在所述钌金属衬里上沉积铜金属以填充所述开口；抛光所述铜金属；掺杂所述钌金属衬里；以及抛光经掺杂的钌金属衬里以在所述第一互连层中形成导电结构；以及在所述第一互连层上形成第二互连层；其中，掺杂所述钌金属衬里包括：使用碳C、硼B、磷P、氧O、硅Si、氩Ar、锗Ge、砷As或氙Xe来掺杂所述钌金属衬里。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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