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恭喜应用材料公司劳拉·哈夫雷查克获国家专利权

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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于晶片放气的等离子体增强退火腔室获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115206765B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210877835.X,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权用于晶片放气的等离子体增强退火腔室是由劳拉·哈夫雷查克;马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔;诺曼·L·塔姆;马修·斯伯勒;刚·龙·塞缪尔·陈;姚东明;斯蒂芬·莫法特设计研发完成,并于2017-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

用于晶片放气的等离子体增强退火腔室在说明书摘要公布了:本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室,所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通,并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。

本发明授权用于晶片放气的等离子体增强退火腔室在权利要求书中公布了:1.一种基板处理装置,包含:第一处理腔室,所述第一处理腔室限定第一处理容积;第二处理腔室,所述第二处理腔室限定第二处理容积;第一远程等离子体源,所述第一远程等离子体源通过第一等离子体导管耦合至所述第一处理腔室,所述第一等离子体导管配置成将等离子体从所述第一远程等离子体源传送到设置在所述第一处理容积中的第一喷头;第二等离子体导管,所述第二等离子体导管耦合在所述第一远程等离子体源与所述第二处理腔室之间,所述第二等离子体导管配置成将所述等离子体从所述第一远程等离子体源传送到设置在所述第二处理容积中的第二喷头;第二远程等离子体源,所述第二远程等离子体源通过第三等离子体导管耦合至所述第二处理腔室;排放装置,所述排放装置通过第一排放导管耦合至所述第一处理腔室,并且通过第二排放导管耦合至所述第二处理腔室;共同排放导管,所述共同排放导管将所述第一排放导管和所述第二排放导管耦合至所述排放装置;总排放流量控制器,所述总排放流量控制器设置在所述共同排放导管中;和腔室排放流量控制器,所述腔室排放流量控制器设置在所述第一排放导管中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人应用材料公司,其通讯地址为:美国加利福尼亚州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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