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龙图腾网恭喜南京信息工程大学申请的专利一种低剖面双向端射圆极化天线阵列及其调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510241716.9，技术领域涉及：H01Q21/24；该发明授权一种低剖面双向端射圆极化天线阵列及其调节方法是由邹宇桐;蔡潇设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低剖面双向端射圆极化天线阵列及其调节方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低剖面双向端射圆极化天线阵列及其调节方法，所述天线阵列包括八个子阵列、单层F4B介质基板以及一分十六射频电路，八个子阵列分为左四个子阵列和右四个子阵列以中心对称方式排列在单层F4B介质基板上，每个子阵列包括馈电金属柱、短路金属柱、磁偶极子以及电偶极子，所述调节方法包括引入极化约束条件，构建模型，对双向端射方向的电场分量进行约束，形成圆极化波，根据最优激励分布对每个天线阵列元素的激励进行精确调节。本发明不仅解决了接收终端在不同旋向圆极化波间移动时的极化失配问题，灵活实现双向左旋圆极化辐射，而且克服了传统单个电磁偶极子端射圆极化增益低的缺陷，实现双向端射增益超过11.5dBic。

本发明授权一种低剖面双向端射圆极化天线阵列及其调节方法在权利要求书中公布了：1.一种低剖面双向端射圆极化天线阵列，其特征在于，包括八个子阵列、单层F4B介质基板（5）以及一分十六射频电路，八个子阵列分为左四个子阵列和右四个子阵列以中心对称方式排列在单层F4B介质基板（5）上，每个子阵列包括馈电金属柱（1）、短路金属柱（2）、磁偶极子（3）以及电偶极子（4），磁偶极子（3）在端射方向提供垂直辐射，电偶极子（4）在端射方向提供水平辐射，二者产生的辐射形成一对正交分量，产生端射圆极化波，一分十六射频电路通过馈电金属柱（1）与每个子阵列相连；磁偶极子（3）为半圆形结构，短路金属柱（2）设置于半圆形结构靠近直径的一侧上，电偶极子（4）为与磁偶极子（3）间隔一距离的“┑”形结构，馈电金属柱（1）分别设置于磁偶极子（3）和电偶极子（4）上；所述八个子阵列共包括16个元素，每个磁偶极子（3）和每个电偶极子（4）各为一个元素。

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