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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种设置正面倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510229061.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种设置正面倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法是由林楷睿设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种设置正面倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种设置正面倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法，包括如下步骤：S1、对硅片进行吸杂处理；之后进行高温扩散；S2、去除硅片背面的富磷氧化硅层，之后对该面进行单面抛光；S3、在S2硅片抛光面形成第一半导体层；S4、清洗去除第一半导体层表面自然形成的PSG层；S5、背面沉积掩膜层；S6、背面形成间隔分布的第二半导体开口区；S7、抛光；S8、去除正面的富磷氧化硅层，之后采用包括碱和含环糊精制绒添加剂的制绒液进行制绒清洗。本发明能够形成正背面不同金字塔形貌，利于在保证较好的背面钝化性能的同时有效降低正面反射率，从而利于提升开路电压、短路电流和电池效率。

本发明授权一种设置正面倒金字塔结构的背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种设置正面倒金字塔结构的背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、对硅片进行吸杂处理，吸杂处理的过程包括：在硅片两面表面沉积厚度为100-1000Å的富磷氧化硅层，富磷氧化硅层的磷掺杂浓度为1e18cm-3-5e19cm-3；之后进行高温扩散，高温扩散的温度为700-900℃；S2、去除硅片背面的富磷氧化硅层，之后对该面进行单面抛光；S3、在S2硅片抛光面形成第一半导体层；S4、清洗去除第一半导体层表面自然形成的PSG层；S5、在第一半导体层表面沉积掩膜层；S6、在S5硅片背面掩膜层上进行第一刻蚀，去除掩膜层及其对应部分第一半导体层，形成间隔分布的第二半导体开口区；S7、抛光，以去除背面第二半导体开口区内的损伤层和正面的第一半导体绕镀层；S8、去除正面的富磷氧化硅层，之后采用包括碱和含环糊精制绒添加剂的制绒液进行制绒清洗，以在正面形成倒金字塔绒面，同时在背面的第二半导体开口区内形成正金字塔绒面，并去除一半以上厚度的掩膜层；正面倒金字塔绒面的反射率为7%-8%，背面正金字塔绒面的反射率为11%-12%；所述含环糊精制绒添加剂中还包括：以制绒添加剂总量计，0.01wt%-0.5wt%的木质素磺酸钠，0.1wt%-5wt%的海藻酸钠，0.05wt%-0.1wt%的苯甲酸钠；S8所述制绒清洗至少包括两步：先采用包括第一含环糊精制绒添加剂的第一制绒液进行第一制绒，后采用包括第二含环糊精制绒添加剂的第二制绒液进行第二制绒，第一含环糊精制绒添加剂中环糊精的质量含量为0.001wt%-0.1wt%，第二含环糊精制绒添加剂中环糊精的质量含量为0.0001wt%-0.01wt%；S11、背面形成第二半导体层。

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