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龙图腾网恭喜成都沃特塞恩电子技术有限公司申请的专利改善镀膜质量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510158492.5，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权改善镀膜质量的方法是由刘文科;李俊宏;胡宗义设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善镀膜质量的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种改善镀膜质量的方法，属于微波技术领域。上述沉积设备包括机架、腔体、样品台及升降驱动装置，机架包括放电腔底板。腔体的底部与放电腔底板的上部连接，并围合形成放电腔。样品台设置在放电腔内，样品台的底部设置有升降杆，放电腔底板上设置有安装孔，升降杆可滑动地穿过安装孔。升降驱动装置与升降杆的底部连接，用于驱动升降杆带动样品台上下移动。上述方法使用了上述沉积设备，通过将样品台上下移动一定距离，能够改善电磁场分布情况，使得等离子球更加扁平，进而能够使得镀膜厚度更加均匀，提高镀膜质量。

本发明授权改善镀膜质量的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善镀膜质量的方法，其特征在于，采用了微波等离子体化学气相沉积设备，所述微波等离子体化学气相沉积设备包括放电腔和样品台，所述样品台设置在所述放电腔内，所述放电腔内还设置有腔内板，所述腔内板中部设置有通孔，所述腔内板的外边缘与腔体的内壁滑动配合；所述腔内板位于所述样品台的下方，所述样品台的底部设置有升降杆，所述升降杆穿过所述腔内板的通孔；所述方法包括以下步骤：实时检测样品台中心点及边缘四个方向的温度；当样品台中心位置温度高于样品台边缘位置的平均温度时，则升高样品台预设距离，继续监测预设时间之后，当样品台中心位置温度仍然高于样品台边缘位置的平均温度时，则降低腔内板的高度；样品台边缘相对的两个位置的温度分别为第一温度和第二温度，当第一温度和第二温度的差大于预设差值时，则调节样品台的倾斜角度，使得样品台第一温度和第二温度中较低温度对应的位置朝远离等离子球的方向移动预设距离。

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