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龙图腾网恭喜行至存储科技(苏州)有限公司申请的专利单栅极多次编程非易失存储结构、阵列及操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510045637.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权单栅极多次编程非易失存储结构、阵列及操作方法是由洪东;王明;杨震设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本单栅极多次编程非易失存储结构、阵列及操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单栅极多次编程非易失存储结构、阵列及操作方法，存储结构包括：衬底，形成于衬底上的深阱区，间隔形成于深阱区中的第一P阱、N阱及第二P阱，间隔形成于第一P阱中的第一N型区及第一P型区，间隔形成于N阱中的第二、第三、第四P型区及第二N型区，间隔形成于第二P阱中的第三N型区及第五P型区，形成于第一P阱上且跨接第一N型区及第一P型区的第一电极，形成于N阱上且跨接第二P型区及第三P型区的第二电极，形成于N阱上且跨接第三P型区及第四P型区的第三电极，形成于第二P阱上且跨接第三N型区及第五P型区的第四电极，第一、第二、第四电极形成浮栅。通过本发明解决了传统存储器存在面积大、功耗高的问题。

本发明授权单栅极多次编程非易失存储结构、阵列及操作方法在权利要求书中公布了：1.一种单栅极多次编程非易失存储结构，其特征在于，包括：衬底，形成于所述衬底上的深阱区，间隔形成于所述深阱区中的第一P阱、N阱及第二P阱，间隔形成于所述第一P阱中的第一N型区及第一P型区，间隔形成于所述N阱中的第二P型区、第三P型区、第四P型区及第二N型区，间隔形成于所述第二P阱中的第三N型区及第五P型区，形成于所述第一P阱上且跨接所述第一N型区及所述第一P型区的第一电极，形成于所述N阱上且跨接所述第二P型区及所述第三P型区的第二电极，形成于所述N阱上且跨接所述第三P型区及所述第四P型区的第三电极，形成于所述第二P阱上且跨接所述第三N型区及所述第五P型区的第四电极；所述第一电极、所述第一N型区、所述第一P型区及所述第一P阱构成隧穿管，所述第二电极、所述第二P型区、所述第三P型区及所述N阱构成浮栅管，所述第三电极、所述第三P型区、所述第四P型区及所述N阱构成选通管，所述第四电极、所述第三N型区、所述第五P型区及所述第二P阱构成控制管；所述第一电极、所述第二电极及所述第四电极形成浮栅，所述第一N型区及所述第一P型区短接并通过第一金属线引出隧穿栅端，所述第二P型区通过第二金属线引出源线端，所述第三电极通过第三金属线引出字线端，第四P型区通过第四金属线引出位线端，所述第二N型区通过第五金属线引出衬底端，所述第三N型区及所述第五P型区短接并通过第六金属线引出控制栅端；其中，所述隧穿管及所述控制管为N型电容，所述浮栅管及所述选通管为PMOS管；其中，所述第一电极、所述第二电极及所述第四电极由同一多晶硅制作，所述多晶硅与所述第一P阱之间具有第一交叠面积，所述多晶硅与所述N阱之间具有第二交叠面积，所述多晶硅与所述第二P阱之间具有第三交叠面积，其中，所述第一交叠面积小于等于所述第二交叠面积，所述第二交叠面积小于所述第三交叠面积。

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