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龙图腾网恭喜高景太阳能股份有限公司;四川高景太阳能科技有限公司申请的专利拉晶工艺的控制方法、装置和拉晶系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119416539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510008830.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权拉晶工艺的控制方法、装置和拉晶系统是由米家东;安燕;徐志群;乔乐;徐耀设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本拉晶工艺的控制方法、装置和拉晶系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种拉晶工艺的控制方法、装置和拉晶系统，该方法包括：构建单晶炉中目标对象的输运数值模型，目标对象包括以下至少之一：氧杂质，以及磷掺杂剂，目标对象的输运数值模型用于反映不同工艺条件和磁场结构下目标对象在单晶炉内部的分布情况；根据目标对象的输运数值模型，生成与在多个工艺条件和多个磁场结构参数下的目标对象对应的多个特征参数，其中，特征参数用于表征目标对象的物理特性；根据多个特征参数，从多个工艺条件和多个磁场结构参数中筛选目标工艺条件和目标磁场结构参数，以控制单晶炉在目标工艺条件和目标磁场结构参数下进行拉晶工艺，从而解决了现有技术中直拉法单晶硅棒生长工艺导致晶体的电性能无法得到保障的问题。

本发明授权拉晶工艺的控制方法、装置和拉晶系统在权利要求书中公布了：1.一种拉晶工艺的控制方法，其特征在于，包括：构建单晶炉中目标对象的输运数值模型，所述目标对象的输运数值模型用于至少反映不同工艺条件和磁场结构下所述目标对象在所述单晶炉内部的分布情况；根据所述目标对象的输运数值模型进行计算，得到对应多个熔体体系的计算结果，所述计算结果包括所述输运数值模型的输入集和输出集之间的动态关系，所述动态关系用于反映与多个所述熔体体系对应的物理特性，任意两个所述熔体体系具有不同的动态特性，多个所述熔体体系分别对应多个工艺条件和多个磁场结构参数，其中：在所述目标对象包括氧杂质的情况下，所述物理特性至少包括以下之一：氧杂质在原料中的赋存特性，氧杂质在坩埚壁面的溶解特性，氧杂质在硅熔体内部的输运特性，氧杂质在结晶界面的分凝特性，氧杂质在熔体表面的蒸发特性，以及氧杂质沿晶体径向和轴向的分布规律；在所述目标对象包括磷掺杂剂的情况下，所述物理特性至少包括以下之一：磷掺杂剂在硅熔体内部的输运特性、磷掺杂剂在结晶界面的分凝特性、磷掺杂剂在硅熔体表面的蒸发特性，以及磷掺杂剂沿晶体径向和轴向的分布规律；根据所述计算结果、多个预设工艺条件和多个预设磁场结构参数，确定分别与多个所述熔体体系对应的多个特征参数；根据多个所述特征参数，从多个所述工艺条件和多个所述磁场结构参数中筛选目标工艺条件和目标磁场结构参数，以控制所述单晶炉在所述目标工艺条件和所述目标磁场结构参数下进行拉晶工艺。

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