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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920648.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其制造方法是由蒋倩文;陈涛;刘哲儒设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底、隔离层、有源区、栅极和栅介质层，其中，所述隔离层位于所述衬底上且设置有两个相互平行的开口；所述有源区位于所述隔离层上，所述有源区包括依次相连的源极区、通道区和漏极区，所述源极区和所述漏极区分别各设于一所述开口内，所述通道区位于所述隔离层上方且与所述衬底的表面平行设置；所述栅极沿所述通道区的延伸方向环绕设置于所述通道区周围；所述栅介质层设置于栅极和通道区之间。本申请增大了栅极与通道区之间的接触面积，有利于提升通道区内的电流传输横截面积以及电场控制效果，减小了半导体器件的面积，减少或避免了半导体器件的短沟道效应。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，于所述衬底上形成隔离层，且所述隔离层内形成有两个相互平行的开口；于所述隔离层上形成有源区、栅极及栅介质层，其中，所述有源区形成有依次相连的源极区、通道区和漏极区，所述源极区和所述漏极区分别各形成于一所述开口内，所述通道区形成于所述隔离层上方且与所述衬底的表面相平行，所述栅极沿所述通道区的延伸方向环绕于所述通道区的周围，所述栅极的形状呈筒状，且所述通道区自呈筒状的所述栅极的内部穿过，所述栅介质层形成于所述栅极和所述通道区之间；所述于所述隔离层上形成有源区、栅极及栅介质层的步骤包括：于所述开口内分别形成源极区和漏极区，且所述源极区和所述漏极区的顶端高于所述隔离层的表面；于相邻两个所述开口之间的所述隔离层上形成下层栅极，所述下层栅极内形成有第一沟槽，且所述第一沟槽的延伸方向与相邻两个所述开口的连线方向平行；于所述第一沟槽内形成下层栅介质，所述下层栅介质内形成有第二沟槽且所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向平行；于所述第二沟槽内形成通道区，所述通道区连接所述源极区和所述漏极区，以形成所述半导体器件的有源区；于所述通道区上形成上层栅介质，所述上层栅介质与所述下层栅介质相连并形成环绕所述通道区的栅介质层；于所述上层栅介质上形成上层栅极，所述上层栅极和所述下层栅极相连并形成环绕所述通道区的栅极。

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