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龙图腾网恭喜联和存储科技(江苏)有限公司申请的专利NAND闪存存储装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119173038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411669395.4，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权NAND闪存存储装置及电子设备是由金康榮;高伟;申女设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本NAND闪存存储装置及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种NAND闪存存储装置及电子设备，包括：半导体衬底；外围电路包括多个混合晶体管块结构，每个混合晶体管块结构均包括第一导电类型晶体管区域和第二导电类型晶体管区域；第一导电类型晶体管区域包括第一导电类型晶体管结构和第一导电类型晶体管寄生结构，第二导电类型晶体管区域包括第二导电类型晶体管结构和第二导电类型晶体管寄生结构，第一导电类型晶体管结构和第一导电类型晶体管寄生结构共用相同的第二导电类型电极有源层，第二导电类型晶体管结构和第二导电类型晶体管寄生结构共用相同的第一导电类型电极有源层。本发明提供的NAND闪存存储装置能够在既定的面积内提升电容器的静电容量。

本发明授权NAND闪存存储装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存存储装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底被划分为存储区域和外围区域，所述存储区域用于形成存储单元，所述外围区域用于形成外围电路，所述外围电路用于驱动所述存储单元的工作；所述外围电路包括形成在所述半导体衬底上的多个混合晶体管块结构，每个混合晶体管块结构均包括第一导电类型晶体管区域和第二导电类型晶体管区域；所述第一导电类型晶体管区域包括第一导电类型晶体管结构和第一导电类型晶体管寄生结构，所述第二导电类型晶体管区域包括第二导电类型晶体管结构和第二导电类型晶体管寄生结构，所述第一导电类型晶体管结构与所述第二导电类型晶体管结构对称设置，所述第一导电类型晶体管寄生结构与所述第二导电类型晶体管寄生结构对称设置，所述第一导电类型晶体管结构和所述第一导电类型晶体管寄生结构共用相同的第二导电类型电极有源层，所述第二导电类型晶体管结构和所述第二导电类型晶体管寄生结构共用相同的第一导电类型电极有源层；所述第一导电类型晶体管结构在连接电压时能够形成第一组电容结构，所述第一导电类型晶体管寄生结构在连接电压时能够形成第一组寄生电容结构，所述第一组电容结构的电容容量与所述第一组寄生电容结构的电容容量形成为第一导电类型晶体管区域的电容容量；所述第二导电类型晶体管结构在连接电压时能够形成第二组电容结构，所述第二导电类型晶体管寄生结构在连接电压时能够形成第二组寄生电容结构，所述第二组电容结构的电容容量与所述第二组寄生电容结构的电容容量形成为第二导电类型晶体管区域的电容容量；其中，所述第一导电类型晶体管结构包括形成在所述半导体衬底上的第二导电类型电极有源层、形成在所述第二导电类型电极有源层表面且朝向所述第二导电类型电极有源层内部延伸的第一导电类型第一输入输出电极层，以及形成在所述第二导电类型电极有源层上的第一控制电极层；所述第一导电类型晶体管寄生结构包括形成在所述半导体衬底上的第二导电类型电极有源层、形成在所述第二导电类型电极有源层表面且朝向所述第二导电类型电极有源层内部延伸的第二导电类型第一输入输出电极层，以及形成在所述第二导电类型电极有源层上的第二控制电极层；所述第二导电类型晶体管结构包括形成在所述半导体衬底上的第一导电类型电极有源层、形成在所述第一导电类型电极有源层表面且朝向所述第一导电类型电极有源层内部延伸的第二导电类型第二输入输出电极层，以及形成在所述第一导电类型电极有源层上的第一控制电极层；所述第二导电类型晶体管寄生结构包括形成在所述半导体衬底上的第一导电类型电极有源层、形成在所述第一导电类型电极有源层表面且朝向所述第一导电类型电极有源层内部延伸的第一导电类型第二输入输出电极层，以及形成在所述第一导电类型电极有源层上的第二控制电极层。

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