苏州紫芯微电子有限公司曹欣怡获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州紫芯微电子有限公司申请的专利压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118482841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410300631.9，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权压力传感器及其制备方法是由曹欣怡;陈中;李晓波设计研发完成，并于2024-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种压力传感器及其制备方法，所述压力传感器包括硅应变膜片，所述硅应变膜片自上而下依次形成有十字梁、应变膜和背腔，所述十字梁将所述硅应变膜片分割出四个对称布置的镂空部，所述镂空部呈花瓣状，所述十字梁的四个端部分别设有压敏电阻，所述压敏电阻之间形成惠斯通电桥，所述十字梁上设有凹槽。本公开的压力传感器，其应变膜的十字梁上设有凹槽，凹槽可以增大十字梁的变形挠度，从而增大十字梁的四个端部处的压敏电阻的集中应力，进而提高压力传感器的灵敏度。花瓣状镂空部可以增大其下方的应变膜露出的面积，应变膜与外界压力接触面积越大，应变膜的变形挠度越大，进一步提高压力传感器的灵敏度。
本发明授权压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括硅应变膜片，所述硅应变膜片自上而下依次形成有十字梁、应变膜和背腔，所述十字梁将所述硅应变膜片分割出四个对称布置的镂空部，所述镂空部呈花瓣状，所述十字梁的四个端部分别设有压敏电阻，所述压敏电阻之间形成惠斯通电桥，所述十字梁上设有凹槽；所述凹槽包括第一凹槽和四组第二凹槽，所述第一凹槽设于所述十字梁的中心，四组所述第二凹槽分别设于所述十字梁的四个梁臂；每一组所述第二凹槽均靠近所述第一凹槽设置。
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