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龙图腾网恭喜杭州万高科技股份有限公司申请的专利部分电流复用压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115664345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211342104.1，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权部分电流复用压控振荡器是由吴学普;崔国宇;孙全;虞小鹏设计研发完成，并于2022-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本部分电流复用压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种部分电流复用压控振荡器，包括第一NMOS管，第二NMOS管，反向耦合差分变压器和可变电容阵列，反向耦合差分变压器包括第一电感、第二电感、第三电感以及第四电感,第一电感和第三电感之间的具有第一正向耦合系数K1，第二电感与第四电感之间具有第二反向耦合系数K2，第一NMOS管的漏极接供电电源，第一NMOS管的源极连接第一电感的一端，第一NMOS管的栅极连接第三电感的一端、可变电容阵列的一端以及作为第一输出端，第三电感的另一端连接第一偏置电压，第一电感的另一端与第二电感的一端连接第一输入电压，第二电感的另一端连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极接地。

本发明授权部分电流复用压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种部分电流复用压控振荡器，其特征在于，包括第一NMOS管MU，第二NMOS管MD，反向耦合差分变压器和可变电容阵列，反向耦合差分变压器包括第一电感LP1、第二电感LP2、第三电感LS1以及第四电感LS2,第一电感LP1和第三电感LS1之间的具有第一正向耦合系数K1，第二电感LP2与第四电感LS2之间具有第二反向耦合系数K2，第一NMOS管MU的漏极接供电电源，第一NMOS管MU的源极连接第一电感LP1的一端，第一NMOS管MU的栅极连接第三电感LS1的一端、可变电容阵列的一端以及第一输出端VON，第三电感LS1的另一端连接第一偏置电压VBU，第一电感LP1的另一端与第二电感LP2的一端连接第一输入电压VM，第二电感LP2的另一端连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管MD的源极接地，第二NMOS管MD的栅极连接第四电感LS2的一端、可变电容阵列的另一端以及第二输出端VOP，第四电感LS2的另一端连接第二偏置电压VBD。

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