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龙图腾网恭喜北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种基于相位插值的抗辐照Serdes收发器CDR电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116260452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211280876.7，技术领域涉及：H03L7/081；该发明授权一种基于相位插值的抗辐照Serdes收发器CDR电路是由孙华波;郭琨;陈雷;徐瀚铭;倪劼;张玉;赫彩设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于相位插值的抗辐照Serdes收发器CDR电路在说明书摘要公布了：一种基于相位插值的抗辐照Serdes收发器CDR电路，摒弃传统的完全基于PLL结构的CDR电路，采用数据和边沿双高速采样器、抗辐照CDR状态机、高精度相位插值器和基于LC振荡器的通用PLL实现对0.5～12.5Gbps高速数据和时钟进行恢复，实现CDR的强环路稳定性、抗单粒子辐照、较短的相位捕获时间、较高的线性度和较低的抖动。

本发明授权一种基于相位插值的抗辐照Serdes收发器CDR电路在权利要求书中公布了：1.一种基于相位插值的抗辐照Serdes收发器CDR电路，其特征在于：包括数据采样器、边沿采样器、抗辐照CDR状态机、相位插值器、基于LC振荡器的通用PLL；所述相位插值器包括数据相位插值器和边沿相位插值器；外部RXPRXN接收数据后，经过线性均衡器均衡以及判决负反馈均衡器进行数据均衡后，分别进入数据采样器和边沿采样器进行采样；在数据采样器中进行采样后的数据D0...Dn和在边沿采样器中进行采样后的边沿数据E0...En进入到抗辐照CDR状态机；抗辐照CDR状态机通过追踪数据D0...Dn以及边沿数据E0...En的信息控制数据相位插值器，输出相位插值码d0...d5到数据相位插值器，输出相位插值码e0...e5到边沿相位插值器；抗辐照CDR状态机控制数据相位插值器和边沿相位插值器输出数据采样器和边沿采样器的采样时钟，形成稳定的负反馈环路，实现数据和时钟采样器输出的数据和时钟的恢复；数据采样器包括PMOS管i72、i74、i80、i82、i84、i86，NMOS管i73、i75、i76、i77、i78、i79、i81、i83、i85、i87；PMOS管i72源端接电源，栅端作为数据采样器的双向端口B和NMOS管i73的栅端连接，漏端接NMOS管i73的漏端；PMOS管i74源端接电源，栅端分别接双向端口A和NMOS管i75的栅端，漏端接NMOS管i75的漏端；NMOS管i73的源端接地，NMOS管i75的源端接地；NMOS管i76漏端接双向端口A，栅端作为外部数据或者时钟输入，源端接NMOS管i77漏端；NMOS管i77源端接地，栅端作为外部基准输入；NMOS管i78漏端作为数据采样器的双向端口B，栅端作为外部数据或者时钟输入，源端接NMOS管i79漏端；NMOS管i79源端接地，栅端作为外部基准输入；PMOS管i80源端接电源，栅端分别作为外部输出端Out_N和NMOS管i81的栅端连接，漏端接NMOS管i81的漏端；PMOS管i82源端接电源，栅端分别作为外部输出端口Out_P和NMOS管i83的栅端，漏端接NMOS管i83的漏端；NMOS管i81的源端接地，NMOS管i83的源端接地；PMOS管i84源端接电源，栅端作为数据采样器的双向端口A，漏端作为外部输出端口Out_P；PMOS管i86源端接电源，栅端作为数据采样器的双向端口B，漏端作为外部输出端口Out_N；NMOS管i85源端接地，栅端作为数据采样器的双向端口A，漏端作为外部输出端口Out_P；NMOS管i87源端接地，栅端作为数据采样器的双向端口B，漏端作为外部输出端口Out_N；抗辐照CDR状态机包括三模冗余投票表决模块、计数器模块、数据相位插值码生成模块、边沿相位插值码生成模块；三模冗余投票表决模块接收采样后的数据D0...Dn和采样后的边沿E0...En，经过投票表决后输出表决结果Ve[0]Ve[1]...Ve[n]到计数器模块；计数器模块接收投票表决结果后输出d0...d5到数据相位插值码生成模块，同时输出e0...e5到边沿相位插值码生成模块，通过相位插值器控制输出数据采样时钟和边沿采样时钟的相位；所述数据相位插值器和边沿相位插值器均包括相位插值器译码模块、相位插值器基准产生模块和相位插值电路，相位插值器译码模块将插值码译码输出到相位插值电路中，通过相位插值控制输出的采样时钟相位，其中两者模块的基准均来自相位插值器基准产生模块。

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