买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西北工业大学申请的专利一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115959619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211212846.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法是由苑伟政;周子丹;何洋;燕则翔;许晓慧;欧召阳;周文源;郭泽琦设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法。该方法选用化学活性依次降低的三层掩膜材料设计了特殊的光刻序列，选择了氧化硅、铝和光刻胶的金属和非金属材料的混合掩模顺序组合作为仿沙垄气动减阻分形微纳结构的蚀刻掩模。该掩模材料的选择综合考虑了电感耦合等离子体刻蚀工艺中金属掩模的兼顾性，工艺效果的可控性和精确性，工艺过的复杂性以及工艺的成本。并且区别于传统工艺中光刻一次刻蚀一次的思路，本发明提出采用旋胶光刻工艺将三层混合掩模复合制备完成后，再利用设计的三层混合掩模化学活性依次下降性质，重复刻蚀和去除掩模的循环，完成三层复合微纳结构的制备。

本发明授权一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法，其特征在于，将仿沙垄气动减阻分形微纳结构由上至下分别定义为第一、二和三层结构，将三层混合掩模由里至外分别定义为第一、二和三层刻蚀掩模，该制造方法包括如下步骤：步骤1：使用标准清工艺将硅片清洗干净；步骤2：在硅片表面沉积一层百纳米厚度的氧化硅层；步骤3：在硅片表面旋涂一层数微米厚度的光刻胶，此后每次光刻均如此；使用第一层结构图形的掩模版，在第一次光刻后，以图形化的光刻胶为掩模干法刻蚀氧化硅，使氧化硅图形化，去除光刻胶，将图形化的氧化硅用作第一层刻蚀掩模；步骤4：在完成步骤3后硅片表面溅射一层百纳米厚度的金属铝层；步骤5：使用第二层结构图形的掩模版，在第二次光刻后，通过湿法腐蚀的方法以第二次图形化的光刻胶为掩模将金属铝图形化，并用作第二层刻蚀掩模；步骤6：使用第三层结构图形的掩模版，在第三次光刻后，第三次使光刻胶图形化，用作第三层刻蚀掩模；至此，完成了化学活性从第三层掩模材料到第一层掩模材料依次降低的三层金属与非金属材料混合掩模的复合制备；步骤7：以第三层刻蚀掩模为掩模使用电感耦合等离子体刻蚀系统ICP刻蚀，形成第三层结构，并去除第三层刻蚀掩模，由于先前设计好的化学性质从第三层掩模材料到第一层掩模材料依次减弱的排序，此步骤只会将第三层刻蚀掩模去除；步骤8：以第二层刻蚀掩模为掩模使用电感耦合等离子体刻蚀系统ICP刻蚀，就形成了第二层结构，并用铝腐蚀液去除第二层刻蚀掩模，由于先前设计好的化学性质依次减弱排序，此步骤只会将第二层刻蚀掩模去除；步骤9：以第一层刻蚀掩模为掩模使用电感耦合等离子体刻蚀系统ICP刻蚀，就形成了第一层结构，并用去除第一层刻蚀掩模，由于先前设计好的化学性质依次减弱排序，此步骤只会将第一层刻蚀掩模去除；至此，完成硅基仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。