恭喜北京航空航天大学马丹跃获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京航空航天大学申请的专利一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115752705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211178443.0，技术领域涉及：G01H17/00；该发明授权一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法是由马丹跃;孙博文;翟跃阳;陆吉玺;马彦宁;王耀国;全伟;韩邦成设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法在说明书摘要公布了：一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，通过制备磁屏蔽材料样品，测量磁屏蔽材料的晶粒大小和复数磁导率，构建所述晶粒大小与所述复数磁导率的拟合模型，构建基于磁屏蔽材料晶粒大小的磁屏蔽装置磁场噪声分析模型，测量晶粒大小以分析磁屏蔽装置的磁场噪声，不需要对成型的磁屏蔽装置进行参数测量，可用于低噪声磁屏蔽材料的选择和设计。
本发明授权一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法在权利要求书中公布了：1.一种微观的磁屏蔽装置磁场噪声分析方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，制备软磁材料样品，所述软磁材料样品的晶粒大小为微米级；步骤2，测量软磁材料的晶粒大小和复数磁导率；步骤3，构建所述晶粒大小与所述复数磁导率的拟合模型；步骤4，构建基于软磁材料晶粒大小的软磁屏蔽装置磁场噪声分析模型；步骤5，根据软磁屏蔽装置磁场噪声分析模型，通过测量晶粒大小分析软磁屏蔽装置的磁场噪声。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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