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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利可校准的侵入式半导体脑机接口通道电路和脑机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115097940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210779558.9，技术领域涉及：G06F3/01；该发明授权可校准的侵入式半导体脑机接口通道电路和脑机设备是由邱伟雄;鲁文高;周晔;张雅聪;卓毅;陈中建设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本可校准的侵入式半导体脑机接口通道电路和脑机设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可校准的侵入式半导体脑机接口通道电路和侵入式半导体脑机设备，涉及集成电路领域。包括：电压电流转换单元将接收到的脑电信号，转换为对应的电流信号并传输至振荡器转换单元；振荡器转换单元根据电流信号，转换为有对应关系的振荡信号和相位信号；计数单元对振荡信号进行计数，得到对应的振荡次数；在积分周期结束时，格雷码转二进制单元采样振荡次数得到粗量化码值，相位采样单元采样相位信号，以使得译码单元对相位采样单元的采样结果进行译码得到细量化码值；校准单元对粗量化码值和细量化码值进行校准得到量化结果。本发明提高侵入式半导体脑机设备模数转换的可靠性，极好的降低侵入式半导体脑机设备像素面积和功耗消耗。

本发明授权可校准的侵入式半导体脑机接口通道电路和脑机设备在权利要求书中公布了：1.一种可校准的侵入式半导体脑机接口通道电路，其特征在于，所述侵入式半导体脑机接口通道电路包括：多个单通道和基极，每个单通道均包括：电压电流转换单元、振荡器转换单元以及计数单元；所述基极包括：格雷码转二进制单元、相位采样单元、译码单元以及校准单元；所述电压电流转换单元将接收到的脑电信号，转换为对应的电流信号并传输至所述振荡器转换单元；所述振荡器转换单元根据所述电流信号，转换为有对应关系的振荡信号和相位信号；所述计数单元对所述振荡信号进行计数，得到对应的振荡次数；在积分周期结束时，所述格雷码转二进制单元采样所述振荡次数，得到粗量化码值，并将所述粗量化码值传输至所述校准单元；在积分周期结束时，所述相位采样单元采样所述相位信号，以使得所述译码单元对所述相位采样单元的采样结果进行译码，得到细量化码值，并将所述细量化码值传输至所述校准单元；所述校准单元对所述粗量化码值和所述细量化码值进行校准，得到量化结果，所述量化结果表征所述脑电信号的模数转换结果；其中，多个所述单通道对应一个基极，即多个所述单通道中每个单通道得到的振荡次数和相位信号，由一个基极中的格雷码转二进制单元和相位采样单元分别对应采样；其中，所述电压电流转换单元包括：跨导模块，所述跨导模块工作在亚阈值区以减少功耗；所述跨导模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管，其中，所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管共体构成小跨导单元；所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均接收精准电压；所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极均与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极均接收第一偏置电压；所述第一PMOS管的源极和第四PMOS管的源极均接收高电平VDD；所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极均与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一NMOS管源极的接地；所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极均与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极均接收参考电压；所述第三PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极输出所述小跨导单元的输出电流，且均与所述第四PMOS管的漏极连接；所述第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极连接；所述第五PMOS管的栅极接收第二偏置电压，所述第五PMOS管的漏极输出所述电流信号。

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