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龙图腾网恭喜TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210446703.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置是由葛茹;龙芬设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置，该阵列基板包括衬底；像素结构，设置在衬底上，像素结构包括依次间隔设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层和薄膜层，其中，第一金属层和第三金属层为公共电极，第二金属层和薄膜层为像素电极，第一金属层与第二金属层形成第一存储电容，第二金属层与第三金属层形成第二存储电容，第三金属层与薄膜层形成第三存储电容。本申请提供的阵列基板中像素结构形成有三个存储电容，在不改变像素结构空间及不增加杂散电容的前提下增大了存储电容的电容值，减小了像素结构漏电的影响。

本发明授权阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；像素结构，设置在所述衬底上，所述像素结构包括依次间隔设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层和薄膜层，其中，所述第一金属层和所述第三金属层为公共电极，所述第二金属层和所述薄膜层为像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层形成第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层形成第二存储电容，所述第三金属层与所述薄膜层形成第三存储电容；其中，所述像素结构包括相邻设置的第一像素区域和第二像素区域，所述第一像素区域包括所述第一金属层的第一部分、所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及所述薄膜层的第一部分，所述第二像素区域包括所述第一金属层的第二部分、所述第三金属层的第二部分以及所述薄膜层的第二部分，所述第一金属层的第一部分与所述第二金属层形成所述第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层的第一部分形成所述第二存储电容，所述第三金属层的第一部分与所述薄膜层的第一部分以及所述第三金属层的第二部分与所述薄膜层的第二部分形成所述第三存储电容；所述第一像素区域设置有第一过孔，所述薄膜层对应的像素电极通过所述第一过孔与所述第二金属层对应的像素电极接触；所述第二像素区域设置有第二过孔，第三金属层对应的公共电极与所述第一金属层对应的公共电极接触。

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