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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210391961.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由马倩;陆炜设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括位于基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极金属层；其中，氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区两侧的导体区，栅极绝缘层分别与沟道区两侧的导体区存在交叠，且栅极对应氧化物半导体层的部分在基板上的正投影落入沟道区在基板上的正投影的范围。本发明基于载流子受到高温成膜的影响会扩散至栅极绝缘层的下方，将层间绝缘层的制作分为两次，在完成第一次层间绝缘层制作后，采用蚀刻工艺形成尺寸较小的栅极，在进行第二次层间绝缘层制作时，随着载流子的扩散，氧化物半导体层的导体区变长、沟道区变窄，从而有利于提高阵列基板的开口率和分辨率。

本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供一基板，在所述基板上制作氧化物半导体层；S2，在所述氧化物半导体层上制作栅极绝缘层、栅极以及层间绝缘层，并形成所述氧化物半导体层的沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；S3，形成贯穿所述层间绝缘层且暴露所述导体区的过孔；S4，在所述层间绝缘层上制作源漏极金属层，所述源漏极金属层通过所述过孔与所述导体区电连接；其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的所述导体区存在交叠，且所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板上的正投影的范围；所述S2包括以下步骤：S21，在所述氧化物半导体层上制作层叠的栅极绝缘层和栅极过渡层，并在所述氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成第一导体区；S22，进行第一次层间绝缘层的制作，所述层间绝缘层覆盖所述第一导体区，同时所述第一导体区的载流子向所述氧化物半导体层对应所述栅极绝缘层的部分扩散，以形成与所述第一导体区邻接的第二导体区；S23，对所述栅极过渡层进行蚀刻，形成栅极；S24，进行第二次层间绝缘层的制作，形成覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层以及所述氧化物半导体层的层间绝缘层，同时所述第一导体区以及所述第二导体区的载流子向靠近所述氧化物半导体层对应所述栅极的部分扩散，以在所述氧化物半导体层对应所述栅极的部分与所述第二导体区之间形成第三导体区；其中，所述第一导体区、所述第二导体区以及所述第三导体区构成导体区。

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