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龙图腾网恭喜湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种发光二极管的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210266949.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管的制作方法是由徐平;周孝维;冯磊设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管的制作方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底的表面制作形成多个圆柱体凹坑；将圆柱体凹坑内部填充用于散热和反射光的石墨烯粉末；在圆柱体凹坑的正上方制作形成凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高LED芯片的散热能力，有效提高LED器件的发光效率，还可以减少LED外延片翘曲度，提升LED发光波长和亮度分布均匀性。

本发明授权一种发光二极管的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后，在蓝宝石衬底的上表面涂覆光刻胶膜层，然后采用光刻技术使光刻胶膜层在蓝宝石衬底表面形成多个圆形图案；将表面形成有多个圆形图案的蓝宝石衬底置入ICP反应腔进行干法刻蚀，再去除蓝宝石衬底表面的光刻胶膜层，在蓝宝石衬底的表面形成多个圆柱体凹坑；所述圆柱体凹坑沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向朝向所述蓝宝石衬底凹陷，且沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向，所述圆柱体凹坑的高度小于蓝宝石衬底的厚度；将所述圆柱体凹坑内部填充用于散热和反射光的石墨烯粉末；在蓝宝石衬底表面形成有圆柱体凹坑的一侧沉积掺有金刚石颗粒的氧化硅膜，再利用光刻和干法刻蚀的方法去除多余的掺有金刚石颗粒的氧化硅膜，在所述圆柱体凹坑的正上方形成凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体，其中，凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体与所述圆柱体凹坑的中心线重合，且凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体的底面直径为所述圆柱体凹坑底面直径的1.5倍；最后利用金属有机化合物化学气相沉淀法在蓝宝石衬底表面形成有凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体的一侧依次生长氮化镓缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化镓层，获得完全结构的外延片。

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