买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海乾合微电子有限公司申请的专利一种射频前端芯片的偏置电压产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114510113B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210167543.7，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权一种射频前端芯片的偏置电压产生电路是由刘刚;郭天生;黄小妍;潘浩;赵鹏设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频前端芯片的偏置电压产生电路在说明书摘要公布了：本发明涉及射频前端芯片技术领域,公开了一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端；在实际使用时，当电压输入端输入的电压是3.3V时，PMOS管MP1导通，PMOS管MP1输出的电流经第一电流镜单元和第二电流镜单元镜像后，在NMOS管MN1上产生压降，使PMOS管MP2关断，3.3V电压经降压单元输出；当电压输入端输入1.8V电压时，PMOS管MP1关断，不向第一电流镜单元输入电流，第一电流镜单元和第二电流镜单元不工作，1.8V电压经PMOS管MP2输出，因此本发明能够兼容两种电压规格的电源电压输入，且降低输入电压为1.8V时的工作电流和能耗。

本发明授权一种射频前端芯片的偏置电压产生电路在权利要求书中公布了：1.一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，其特征在于，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端；所述第一分压单元、第二分压单元、第二电流镜单元、PMOS管MP2的源极和降压单元的输入端分别和所述电压输入端电连接，所述PMOS管MP2的漏极和降压单元的输出端分别与所述电压输出端电连接；所述第一分压单元的分压节点与所述PMOS管MP1的源极电连接，所述第二分压单元的分压节点与所述PMOS管MP1的栅极电连接，在所述第一分压单元和第二分压单元导通时，所述第一分压单元的分压节点的电压大于所述第二分压单元的分压节点的电压，所述第一分压单元的分压节点与接地端之间的压差和所述第二分压单元的分压节点与接地端之间的压差均大于1.8V；所述第一电流镜单元对所述PMOS管MP1的输出电流进行镜像，输出第二电流，所述第二电流镜单元对所述第二电流进行镜像，输出第三电流，所述第三电流输入到NMOS管MN1的漏极，所述NMOS管MN1的漏极与所述PMOS管MP2的栅极电连接，所述NMOS管MN1的栅极与第二分压单元的第二分压节点电连接，在所述第二分压单元导通时所述第二分压单元的分压节点的电压大于所述第二分压节点的电压，所述NMOS管MN1的源极接地；所述第一分压单元包括依次串联的电阻R1、二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4，所述二极管D4的负极接地，所述电阻R1未与二极管D1电连接的一端与所述电压输入端电连接，所述电阻R1与所述二极管D1电连接的一端与所述PMOS管MP1的源极电连接；所述第一电流镜单元包括NMOS管MN2、NMOS管MN3和NMOS管MN4，PMOS管MP1的漏极分别和NMOS管MN2的漏极、NMOS管MN2的栅极、NMOS管MN3的栅极电连接，NMOS管MN2的源极和NMOS管MN3的源极均接地，NMOS管MN3的漏极与NMOS管MN4的源极电连接，NMOS管MN4的栅极与PMOS管MP1的栅极电连接，NMOS管MN4的漏极与第二电流镜单元电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海乾合微电子有限公司，其通讯地址为：200000 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。