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龙图腾网恭喜安徽大学;合肥海图微电子有限公司;合肥市微电子研究院有限公司申请的专利一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210081249.4，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路是由郝礼才;董琛;彭春雨;卢文娟;赵强;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路，包括六个NMOS晶体管和八个PMOS晶体管，六个NMOS晶体管依次记为N1～N6，八个PMOS晶体管依次记为P1～P8，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合，PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，NMOS晶体管N1、N2、N3、N4和PMOS晶体管P5、P6作为下拉管；两个主存储节点Q与QN通过NMOS晶体管N5与N6分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S0与S1通过PMOS晶体管P7与P8分别与位线BL和BLB相连。该电路能够提高存储单元写速度、降低单元功耗，并提高单元抗单粒子翻转SEU能力。

本发明授权一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路在权利要求书中公布了：1.一种基于极性加固技术的14T抗辐照SRAM存储电路，其特征在于，所述电路包括六个NMOS晶体管和八个PMOS晶体管，六个NMOS晶体管依次记为N1～N6，八个PMOS晶体管依次记为P1～P8，其中：主存储节点Q通过NMOS晶体管N5与位线BL相连，主存储节点QN通过NMOS晶体管N6与位线BLB相连，冗余存储节点S0通过PMOS晶体管P8与位线BL相连，冗余存储节点S1通过PMOS晶体管P7与位线BLB相连，其中：NMOS晶体管N5、N6由字线WLB控制，PMOS晶体管P7与P8由字线WL控制；位线BL与NMOS晶体管N5和PMOS晶体管P7的源极电连接，位线BLB与NMOS晶体管N6和PMOS晶体管P8的源极电连接；字线WL与PMOS晶体管P7和P8的栅极电连接，字线WLB与NMOS晶体管N5和N6的栅极电连接；NMOS晶体管N5的漏极与NMOS晶体管N1的栅极电连接，NMOS晶体管N6的漏极与NMOS晶体管N2的栅极电连接；PMOS晶体管P8的漏极与PMOS晶体管P3的漏极电连接，PMOS晶体管P7的漏极与PMOS晶体管P4的漏极电连接；PMOS晶体管P3的栅极与PMOS晶体管P4的漏极相连接，同时PMOS晶体管P4的栅极与PMOS晶体管P3的漏极相连接，即PMOS晶体管P3、P4形成MOS管的交叉耦合结构；冗余存储节点S0、S1分别连接PMOS晶体管P1、P2的栅极，PMOS晶体管P1、P2的源极连接到电路电源VDD，PMOS晶体管P1、P2的漏极连接到主存储节点Q、QN；故PMOS晶体管P1、P2起到主存储节点Q、QN的上拉晶体管的作用；NMOS晶体管N1的源极与冗余存储节点S0连接，NMOS晶体管N2的源极与冗余存储节点S1连接，NMOS晶体管N1、N2的漏极与电路地信号VSS相连接，故NMOS晶体管N1、N2起到冗余存储节点S0、S1的下拉晶体管的作用；同理，NMOS晶体管N3的源极与主存储节点Q连接，NMOS晶体管N4的源极与主存储节点QN连接，NMOS晶体管N3、N4的漏极与电路地信号VSS相连接，故NMOS晶体管N3、N4起到主存储节点Q、QN的下拉晶体管的作用；电源VDD与PMOS晶体管P1、P2的源极电连接，且电源VDD与PMOS晶体管P3、P4的源极电连接；NMOS晶体管N3、N4与NMOS晶体管N1、N2的漏极均接地；其中，各晶体管的具体连接关系为：PMOS晶体管P1的漏极与PMOS晶体管P6的栅极、NMOS晶体管N5的漏极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N4的栅极以及NMOS晶体管N3的源极电连接；PMOS晶体管P1的栅极与PMOS晶体管P3的漏极、PMOS晶体管P5的源极以及PMOS晶体管P4的栅极电连接；PMOS晶体管P2的漏极与PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N6的漏极、NMOS晶体管N4的源极以及NMOS晶体管N3的栅极电连接；PMOS晶体管P2的栅极与PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P4的漏极以及PMOS晶体管P6的源极电连接；PMOS晶体管P3的漏极与PMOS晶体管P5的源极、PMOS晶体管P4的栅极以及PMOS晶体管P8的漏极电连接；PMOS晶体管P3的栅极与PMOS晶体管P4的漏极、PMOS晶体管P6的源极以及PMOS晶体管P7的漏极电连接；PMOS晶体管P4的漏极与PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P7的漏极以及PMOS晶体管P6的源极电连接；PMOS晶体管P4的栅极与PMOS晶体管P3的漏极、PMOS晶体管P8的漏极以及PMOS晶体管P5的源极电连接；PMOS晶体管P5的源极与PMOS晶体管P3的漏极、PMOS晶体管P7的漏极以及PMOS晶体管P4的栅极电连接；PMOS晶体管P5的漏极与NMOS晶体管N1的源极电连接；PMOS晶体管P5的栅极与PMOS晶体管P2的漏极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N6的漏极、NMOS晶体管N4的源极以及NMOS晶体管N3的栅极电连接；PMOS晶体管P6的源极与PMOS晶体管P4的漏极、PMOS晶体管P3的栅极以及PMOS晶体管P7的漏极电连接；PMOS晶体管P6的漏极与NMOS晶体管N2的源极电连接；PMOS晶体管P6的栅极与PMOS晶体管P1的漏极、NMOS晶体管N5的漏极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N4的栅极以及NMOS晶体管N3的源极电连接；PMOS晶体管P8的源极与位线BLB电连接；PMOS晶体管P8的漏极与PMOS晶体管P3的漏极、PMOS晶体管P4的栅极以及PMOS晶体管P5的源极电连接；PMOS晶体管P7的栅极与字线WL电连接；PMOS晶体管P7的源极与位线BL电连接；PMOS晶体管P7的漏极与PMOS晶体管P4的漏极、PMOS晶体管P3的栅极以及PMOS晶体管P6的源极电连接；PMOS晶体管P8的栅极与字线WL电连接；NMOS晶体管N1的源极与PMOS晶体管P5的漏极电连接；NMOS晶体管N1的栅极与NMOS晶体管N5的漏极、PMOS晶体管P1的漏极、PMOS晶体管P6的栅极、NMOS晶体管N4的栅极以及NMOS晶体管N3的源极电连接；NMOS晶体管N2的源极与PMOS晶体管P6的漏极电连接；NMOS晶体管N2的栅极与PMOS晶体管P2的漏极、PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N6的漏极、NMOS晶体管N3的栅极以及NMOS晶体管N4的源极电连接；NMOS晶体管N3的源极与PMOS晶体管P1的漏极、PMOS晶体管P6的栅极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N5的漏极以及NMOS晶体管N4的栅极电连接；NMOS晶体管N3的栅极与PMOS晶体管P2的漏极、PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N6的漏极以及NMOS晶体管N4的源极电连接；NMOS晶体管N4的源极与PMOS晶体管P2的漏极、PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N6的漏极以及NMOS晶体管N4的源极电连接；NMOS晶体管N4的栅极与PMOS晶体管P1的漏极、PMOS晶体管P6的栅极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N5的漏极以及NMOS晶体管N4的栅极电连接；NMOS晶体管N5的源极与位线BL电连接；NMOS晶体管N5的漏极与PMOS晶体管P1的漏极、PMOS晶体管P6的栅极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N3的源极以及NMOS晶体管N4的栅极电连接；NMOS晶体管N5的栅极与字线WLB电连接；NMOS晶体管N6的源极与位线BLB电连接；NMOS晶体管N6的漏极与PMOS晶体管P2的漏极、PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N3的栅极以及NMOS晶体管N4的源极电连接；NMOS晶体管N6的栅极与字线WLB电连接。

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