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龙图腾网恭喜河北工业大学申请的专利一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210048969.0，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法是由吴存存;梁玉超;韩晓静;韩佳衡;张贤;张阳洋;郑士建设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法。该方法配制卤化铅与卤化有机铵盐的混合溶液后，利用低压辅助处理对沉积在衬底上的钙钛矿薄膜前驱体薄膜进行处理，形成结晶良好的中间相薄膜，然后通过加热形成纯相的RP钙钛矿薄膜。本发明成本低并且和大面积薄膜制备兼容，得到的钙钛矿薄膜可以用于太阳能电池，光电探测器，发光二极管、X射线探测器等多种光电器件，具有广泛的应用前景。

本发明授权一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纯相RP钙钛矿薄膜的制备方法，其特征为，该方法包括如下步骤：步骤1：将碘化铅PbI2、碘化有机铵盐AI及甲脒碘FAI溶解到溶剂之中，然后加入添加剂，得到RP相钙钛矿前驱体溶液；其中，摩尔比为，碘化铅：碘化有机铵盐：甲脒碘：添加剂=1：0.1~1：0.05~0.5：0.1~1；所述的前驱体溶液中Pb2+的浓度为0.05~2molL；所述的添加剂为甲基氯化铵；步骤2：利用旋转涂覆设备，在衬底上涂覆前驱体溶液，得到钙钛矿薄膜；其中，每1~10cm2衬底涂覆10~100μl前驱体溶液；步骤3：利用低压辅助设备对沉积在衬底上的钙钛矿薄膜进行低压处理，然后通过恒温加热设备进行退火，得到所述RP相钙钛矿A2FAPb2I7，即纯相的RP钙钛矿薄膜；所述RP相钙钛矿的结构通式为A2FAPb2I7，其中A为有机阳离子，FA+为甲脒阳离子；其中，所述的低压辅助设备处理时真空度为10Pa，处理时间为60s；所述的退火温度为100℃，退火时间为15min；所述的碘化有机铵盐AI中，A为二甲胺离子、乙胺离子、巯基乙胺离子、乙醇胺离子、丙胺离子、异丙基胺离子、环丙胺离子、丁胺离子、异丁基胺离子、叔丁基胺离子、戊胺离子、苯基胺离子、甲氧基苯乙胺离子、三氟乙胺离子、三氟甲基苯胺离子、三氟甲基苯甲胺离子、三氟甲基苯乙胺、吡啶甲胺离子、3-二甲氨基-1-丙胺离子、二乙胺离子、苯甲基胺离子、苯乙基胺离子、对氟苯乙胺离子、间氟苯乙胺离子、邻氟苯乙胺离子、苯丙基胺离子、苯丁基胺离子、4-叔丁基苯胺离子、4-叔丁基苯甲胺离子中的一种或多种；所述的溶剂DMF和NMP；DMF:NMP的体积比为9:1；步骤2所述的衬底为掺杂氟的SnO2导电玻璃、氧化铟锡透明导电膜玻璃、PETITO、PENITO或金属片；旋转涂覆设备的转速为1500~8000rmp，旋转时间为5~30s，环境温度为20℃，环境相对湿度为60%。

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