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龙图腾网恭喜成都亚光电子股份有限公司申请的专利一种金属化孔薄膜电路及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111659807.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种金属化孔薄膜电路及其制备方法是由程吉霖;聂源;钟怀磊;刘旭设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属化孔薄膜电路及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属化孔薄膜电路及其制备方法。本发明提供的金属化孔薄膜电路的制备方法，通过进行单独金属化，延长工序，不限制单工序产能负担，使得生产产能与无金属化孔生产产能一致，该方面可以正式应用于产业化，工艺余量较大，较容易进行大批量化工艺生产；再者，通过单独对孔进行金属化处理，减少同时金属金属化孔其他刻蚀工艺的影响，提高了薄膜电路金属孔的耐温性；由于本发明使用夹具为通用夹具，相对于选择性电镀利用光刻夹具每种金属化孔图形都需要做一种夹具而言，本发明能够在不使用夹具基础上，满足现有设计规则要求的金属化孔制备。

本发明授权一种金属化孔薄膜电路及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属化孔薄膜电路的制备方法，包括以下步骤：A在陶瓷基片上用激光进行打孔，并清洗；B在步骤A得到的陶瓷基片的正面和背面沉积氮化钽薄膜，在所述氮化钽薄膜上依次溅射第一钛钨薄膜和第一金薄膜，得到复合陶瓷基片；C采用选择性电镀工艺制作薄膜电路，经过喷胶或匀胶工艺后，在步骤B得到的复合陶瓷基片正面和金属化孔内覆盖有光刻胶，将金属化孔和非图形区域进行遮盖处理，曝光后，使薄膜电路进行选择性显影，孔内壁光刻胶以及非图形区域的光刻胶未被显影；D选择性显影完成后，置于电镀金溶液中进行电镀金，使得光刻胶被去除的区域覆盖电镀金层；E除去孔内壁光刻胶以及非图形区域的光刻胶，并对所述金属化孔区域和非图形区域进行刻蚀，除去所述金属化孔区域和非图形区域的金属层；F在步骤E得到的薄膜电路基片正面和金属化孔内壁依次溅射第二钛钨薄膜和第二金薄膜；G将步骤F得到的薄膜电路基片两面进行全板电镀金工艺；H在步骤G得到的薄膜电路基片正面利用干膜作为光阻进行曝光显影，使得孔区域显影，其他区域被干膜覆盖，然后进行电镀镍，电镀镍完成后将表面干膜除去；I用碘和碘化钾混合水溶液配置的金腐蚀液刻蚀掉步骤H得到的薄膜电路基片正面的电镀金层，用钛钨腐蚀液湿法刻蚀掉设计图形之外不需要的钛钨薄膜，用镍腐蚀液除去薄膜电路基片背面以及孔内壁的电镀镍层，得到金属化孔薄膜电路。

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