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龙图腾网恭喜龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111609117.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法是由杨乐;李铁生;王荣华;楼颖颖设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法，所述结构包含低阻和高阻两层外延，高阻值外延放置在下层，结构包括外延层划分的有源区与终端区，所述有源区内设置有源区沟槽，所述终端区内设置有至少五条靠近所述有源区沟槽的终端区沟槽为隔离环，至少一条靠近划片槽的终端区沟槽为截止环；所述隔离环内沉积的低掺杂多晶硅层并浮空，所述截止环与截止环金属短接并浮空。并在终端隔离区、截止区的沟槽底部进行与外延类型相反的一定能量和剂量的注入形成反型层。本发明能够更好的延展耗尽线，增大曲率半径，减小电场集中，最终达到提高终端击穿电压的作用，不会增加工艺的难度，减少了掩膜版的生产成本。

本发明授权一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种可优化终端电场的屏蔽栅沟槽MOSFET结构的制造方法，其特征在于，该方法通过以下步骤实现：步骤一：提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型高阻值、低阻值两层外延层；步骤二：在n型外延上通过光刻、干法腐蚀形成深沟槽，所述深沟槽包括有源区深沟槽与终端区深沟槽，所述终端区深沟槽包围有源区深沟槽，终端区深沟槽中，靠近所述有源区深沟槽的终端区深沟槽为隔离环沟槽，靠近划片槽的终端区深沟槽为截止环沟槽，并保留硬掩膜版；步骤三：通过光刻、注入，对终端区域深沟槽进行底部注入，并去除光刻胶和硬掩膜版；步骤四：通过湿法热氧化工艺在所述深沟槽底部和侧壁生长场氧化层；步骤五：通过多晶硅淀积工艺进行第一次高掺杂源极多晶硅淀积；通过干法腐蚀工艺进行多晶硅回刻，刻蚀至多晶硅与外延层上表面齐平；步骤六：通过光刻、各向同性刻蚀工艺对隔离环沟槽内多晶硅完全刻蚀；步骤七：通过多晶硅淀积工艺进行第二次低掺杂多晶硅淀积；通过干法腐蚀工艺进行多晶硅回刻，刻蚀至多晶硅与外延层上表面齐平；步骤八：通过干法加湿法腐蚀工艺去除表面场氧化层；步骤九：经过干法热氧化工艺生长栅氧化层，形成MOSFET器件栅氧；步骤十：第三次多晶硅淀积，并回刻蚀至沟槽内，形成浅槽MOSFET器件栅极；步骤十一：P-BODY注入，形成P阱；步骤十二：N+注入，形成器件源极；步骤十三：介质层淀积，接触孔光刻及孔腐蚀；完成接触孔钨填充，和表面金属工艺形成器件正面结构；最后完成背面金属工艺，形成器件漏端，完成低压超结MOSFET终端结构。

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