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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利一种中红外光场调控方法及导光强约束异质结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114200730B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111404712.6，技术领域涉及：G02F1/365；该发明授权一种中红外光场调控方法及导光强约束异质结构是由章礼富;邓志象;范滇元设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中红外光场调控方法及导光强约束异质结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中红外光场调控方法及导光强约束异质结构，所述中红外光场调控方法包括：将泵浦源和弱探测种子产生的光源输入到导光强约束异质结构中，所述导光强约束异质结构包括氮化硅芯径、二氧化硅基底和包层，所述氮化硅芯径与所述二氧化硅基底、所述二氧化硅基底与所述包层之间存在强约束效应；当所述光源经过所述导光强约束异质结构处理后，所述导光强约束异质结构输出高空间相干性的单模波导激光。本发明采用飞秒泵浦场与可调弱探测光作为光源，通过非线性相互作用实现3.5μm附近有效波长调控，获得高空间相干性的单模波导激光输出，解决了片上光源中红外光场调控的问题。

本发明授权一种中红外光场调控方法及导光强约束异质结构在权利要求书中公布了：1.一种中红外光场调控方法，其特征在于，所述中红外光场调控方法包括：将泵浦源和弱探测种子产生的光源输入到导光强约束异质结构中，所述导光强约束异质结构包括氮化硅芯径、二氧化硅基底和包层，所述氮化硅芯径与所述二氧化硅基底、所述二氧化硅基底与所述包层之间存在强约束效应；当所述光源经过所述导光强约束异质结构处理后，所述导光强约束异质结构输出高空间相干性的单模波导激光；所述当所述光源经过所述导光强约束异质结构处理后，所述导光强约束异质结构输出高空间相干性的单模波导激光，具体包括：经过所述泵浦源和所述弱探测种子产生的光源包括强泵浦波、第一弱探测波和第二弱探测波，所述强泵浦波为传输保持形状并分布于反常色散区域的孤子，所述第一弱探测波和所述第二弱探测波分布于所述强泵浦波周围；所述第一弱探测波与所述强泵浦波之间通过非线性相互作用以激发超过传统色散辐射波长的共振辐射，所述第二弱探测波与所述强泵浦波之间通过碰撞而非线性相互作用的动力学以激发低于传统色散辐射波长的共振辐射，以传统色散辐射波长为中心，获得高相干性的中红外共振辐射边带。

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